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龍圖騰網恭喜常熟理工學院申請的專利一種硅基疊層太陽能電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111261779B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010092810.X，技術領域涉及：H10K39/15；該發明授權一種硅基疊層太陽能電池及其制備方法是由劉玉申;況亞偉;張樹德;魏青竹;倪志春;洪學鹍;錢洪強設計研發完成，并于2020-02-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅基疊層太陽能電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅基疊層太陽能電池，包括底電池結構和層疊于底電池結構之上的頂電池結構，底電池結構包括n型單晶硅襯底，n型單晶硅襯底上表面的四周設置SiO2絕緣層，中間制備p型摻雜層，在p型摻雜層和n型單晶硅襯底的層疊區域刻蝕制備豎直方向的納米孔周期陣列結構，n型單晶硅襯底的納米孔內為空隙，n型單晶硅襯底的下表面設置金屬薄膜層；頂電池結構由下至上依次包括TiO2薄膜層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層、透明導電薄膜層和金屬電極。本發明利用周期納米孔陣列優異的光吸收和電荷傳輸性能，提高了底電池長波光子的利用效率，在兼容硅基電池工藝的同時提高了疊層太陽能電池的光電轉換效率。

本發明授權一種硅基疊層太陽能電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基疊層太陽能電池，包括底電池結構和頂電池結構，其特征在于，所述頂電池結構層疊于所述底電池結構之上，所述底電池結構包括n型單晶硅襯底，所述n型單晶硅襯底上表面的四周設置SiO2絕緣層以在所述n型單晶硅襯底的中央區域形成受光窗口，所述受光窗口區域的所述n型單晶硅襯底上制備p型摻雜層，在所述p型摻雜層和所述n型單晶硅襯底的層疊區域刻蝕制備豎直方向的納米孔周期陣列結構，所述納米孔周期陣列結構的周期為600~1200nm，所述納米孔周期陣列結構的納米孔的直徑為400~600nm，深度為400~800nm，所述納米孔周期陣列結構的占空比為13~23，所述n型單晶硅襯底的納米孔內為空隙，所述n型單晶硅襯底的下表面設置金屬薄膜層；所述頂電池結構由下至上依次包括TiO2薄膜層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層、透明導電薄膜層和金屬電極；所述金屬電極和所述金屬薄膜層分別引出作為導電電極對外電路供電，所述TiO2薄膜層厚度為50~300nm，所述鈣鈦礦吸收層的厚度為100~500nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人常熟理工學院，其通訊地址為：215500 江蘇省蘇州市常熟市南三環路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。