恭喜三星電子株式會社R.M.哈徹獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利低輸出電流和高開/關比的抗變化3T3R二進制權重單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111640463B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010122849.1，技術領域涉及：G11C13/00；該發明授權低輸出電流和高開/關比的抗變化3T3R二進制權重單元是由R.M.哈徹;T.拉克希特;J.基特爾;R.森古普塔;D.帕爾;洪俊顧設計研發完成，并于2020-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本低輸出電流和高開/關比的抗變化3T3R二進制權重單元在說明書摘要公布了：本文公開了一種低輸出電流和高開關比的抗變化3T3R二進制權重單元和設備。權重單元包括：第一場效應晶體管FET和連接到第一FET的漏極的第一電阻性存儲器元件；第二FET和連接到第二FET的漏極的第二電阻性存儲器元件，第一晶體管的漏極FET連接到第二FET的柵極，第二FET的漏極連接到第一FET的柵極；第三FET；以及連接到第三FET的漏極的負載電阻器。
本發明授權低輸出電流和高開/關比的抗變化3T3R二進制權重單元在權利要求書中公布了：1.一種權重單元，包括：第一場效應晶體管FET和連接到第一FET的漏極的第一電阻性存儲器元件；第二FET和連接到所述第二FET的漏極的第二電阻性存儲器元件，所述第一FET的漏極連接到所述第二FET的柵極，并且所述第二FET的漏極連接到所述第一FET的柵極，第三FET；以及連接到所述第三FET的漏極的負載電阻器；其中，所述第一FET的源極的輸入包括第一編程電壓，并且所述第二FET的源極的輸入包括與第一編程電壓相反的第二編程電壓，使得從所述第三FET的源極輸出的電流指示所述權重單元的邏輯權重。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號