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龍圖騰網恭喜三井化學東賽璐株式會社申請的專利保護膜及其粘貼方法以及半導體部件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113614888B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080024347.3，技術領域涉及：H01L21/304；該發明授權保護膜及其粘貼方法以及半導體部件的制造方法是由野上昌男;森本哲光設計研發完成，并于2020-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本保護膜及其粘貼方法以及半導體部件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供保護膜的粘貼方法、半導體部件的制造方法、在粘貼方法中利用的保護膜，該保護膜能抑制因半導體晶片的主面的臺階而引起的不良情況的產生，粘貼方法具備：配置工序，以覆蓋半導體晶片10的主面10A的方式配置保護膜20；和粘貼工序，將保護膜20按壓并粘貼于主面10A，主面10A具有第一區域12和第二區域13，第一區域12配置有凸塊11，第二區域13是包含主面10A的周緣的至少一部分的區域且是未配置有凸塊11的區域，粘貼工序包括將保護膜20在其厚度方向上壓縮的壓縮工序，壓縮工序使用用于將保護膜20向主面10A按壓的按壓構件32和沿著第二區域13的外周緣設置的支撐構件33來進行。

本發明授權保護膜及其粘貼方法以及半導體部件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種保護膜的粘貼方法，其特征在于，具備：配置工序，以覆蓋半導體晶片的主面的方式配置保護膜；以及粘貼工序，將所述保護膜按壓并粘貼于所述主面，所述主面具有第一區域和第二區域，所述第一區域配置有凸塊，所述第二區域是包含該主面的周緣的至少一部分的區域且是未配置凸塊的區域，所述粘貼工序包括將所述保護膜在其厚度方向上壓縮的壓縮工序，所述壓縮工序使用用于將所述保護膜向所述主面按壓的按壓構件和沿著所述第二區域的外周緣設置的支撐構件來進行，所述配置工序是在所述支撐構件的內側設置所述半導體晶片之后，將貼附于環狀框的所述保護膜以覆蓋所述半導體晶片的所述主面的方式配置的工序，所述壓縮工序是通過使所述支撐構件支撐所述保護膜的邊緣部而將所述邊緣部夾在所述支撐構件與所述按壓構件之間，由此對所述邊緣部進行壓縮，從而限制所述保護膜的膜厚部要向比所述主面的周緣更靠外側流動的工序。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三井化學東賽璐株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。