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龍圖騰網恭喜愛思開海力士有限公司申請的專利包括層疊的半導體芯片的半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112992832B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010848688.4，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權包括層疊的半導體芯片的半導體封裝是由樸真敬設計研發完成，并于2020-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括層疊的半導體芯片的半導體封裝在說明書摘要公布了：包括層疊的半導體芯片的半導體封裝。一種半導體封裝包括：基板，其具有形成在其沿第一方向的一側邊緣處的第一基板焊盤和形成在其沿第一方向的另一側邊緣處的第二基板焊盤；形成在基板上的子半導體封裝，其包括子半導體芯片、子模制層和重分配導電層，所述子模制層圍繞子半導體芯片的側面，所述重分配導電層在連接到子半導體芯片的子芯片焊盤的狀態下延伸到子模制層上，并且連接到分別形成在子模制層的沿第一方向的一側邊緣和另一側邊緣的第一重分配焊盤和第二重分配焊盤；形成在子半導體封裝上的第一芯片疊層，該第一芯片疊層包括第一主半導體芯片；以及形成在第一芯片疊層上的第二芯片疊層，該第二芯片疊層包括第二主半導體芯片。

本發明授權包括層疊的半導體芯片的半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：基板，所述基板具有形成在所述基板的沿第一方向的一側邊緣處的第一基板焊盤和形成在所述基板的沿所述第一方向的另一側邊緣處的第二基板焊盤；子半導體封裝，所述子半導體封裝形成在所述基板上，并且所述子半導體封裝包括：子半導體芯片；子模制層，所述子模制層圍繞所述子半導體芯片的側面；以及重分配導電層，所述重分配導電層在連接到所述子半導體芯片的子芯片焊盤的狀態下延伸到所述子模制層上，并且連接到分別形成在所述子模制層的沿所述第一方向的一側邊緣和另一側邊緣處的第一重分配焊盤和第二重分配焊盤；第一芯片疊層，所述第一芯片疊層形成在所述子半導體封裝上，并且所述第一芯片疊層包括一個或更多個第一主半導體芯片；以及第二芯片疊層，所述第二芯片疊層形成在所述第一芯片疊層上，并且所述第二芯片疊層包括一個或更多個第二主半導體芯片，其中，所述子半導體芯片通過連接所述第一重分配焊盤和所述第一基板焊盤的第一子封裝互連器以及連接所述第二重分配焊盤和所述第二基板焊盤的第二子封裝互連器而連接到所述基板，其中，所述第一芯片疊層通過第一互連器連接到所述基板，所述第一互連器連接所述一個或更多個第一主半導體芯片的第一芯片焊盤和所述第一基板焊盤，其中，所述第二芯片疊層通過第二互連器連接到所述基板，所述第二互連器連接所述一個或更多個第二主半導體芯片的第二芯片焊盤和所述第二基板焊盤，其中，所述第一基板焊盤中的與所述第一子封裝互連器連接并且不與所述第一互連器連接的基板焊盤，或所述第二基板焊盤中的與所述第二子封裝互連器連接并且不與所述第二互連器連接的基板焊盤用作所述子半導體芯片的電源焊盤或者信號傳輸焊盤，其中，所述第一基板焊盤中的不與所述第一子封裝互連器連接并且與所述第一互連器連接的基板焊盤用作所述第一芯片疊層的電源焊盤或信號傳輸焊盤，并且所述第二基板焊盤中的不與所述第二子封裝互連器連接并且與所述第二互連器連接的基板焊盤用作所述第二芯片疊層的電源焊盤或信號傳輸焊盤，并且其中，所述第一基板焊盤中的共同連接到所述第一子封裝互連器和所述第一互連器的基板焊盤，或所述第二基板焊盤中的共同連接到所述第二子封裝互連器和所述第二互連器的基板焊盤用作接地電源焊盤。

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