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龍圖騰網恭喜松山湖材料實驗室;中國科學院物理研究所申請的專利晶硅太陽能電池圓滑修飾方法及其圓滑修飾液獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114267581B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010974829.7，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權晶硅太陽能電池圓滑修飾方法及其圓滑修飾液是由陳偉;劉堯平;肖川;張小虎;王燕;杜小龍設計研發完成，并于2020-09-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶硅太陽能電池圓滑修飾方法及其圓滑修飾液在說明書摘要公布了：本發明公開了一種晶硅太陽能電池圓滑修飾方法及其圓滑修飾液，將制絨后的晶硅片放置于圓滑修飾液中，在溫度8℃～40℃下刻蝕15s～180s，對晶硅片的金字塔形貌結構的塔頂和塔底位置進行刻蝕修飾成圓滑過渡結構，利于鈍化膜的沉積，降低頂尖和塔底交界處的復合。本發明提供的晶硅太陽能電池圓滑修飾方法工藝簡單，修飾后的金字塔結構更有利于薄膜的保角沉積，修飾后的金字塔反射率上升小于1％，同時兼顧電池的光學和電學性能；同時所采用的圓滑修飾液不含氮，有效避免了現有技術圓滑處理液中的硝酸排放，廢液處理成本低，對環保壓力小，而且原料化學藥液成本低，易于獲得，降低生產成本的同時也減少了對環境的污染。

本發明授權晶硅太陽能電池圓滑修飾方法及其圓滑修飾液在權利要求書中公布了：1.一種晶硅太陽能電池圓滑修飾方法，其特征在于，其包括以下步驟：（1）預備制絨后的晶硅片,該晶硅片的絨面上具有金字塔形貌結構，該金字塔形貌結構的底邊長1～10微米，高度為0.7～7微米；（2）配置圓滑修飾液：將氟離子源、含氯的離子源、氧化劑和去離子水相混合獲得圓滑修飾液，其中所述氟離子源的濃度為0.1molL～8molL，所述含氯的離子源的濃度為0.01molL～13molL，所述氧化劑的濃度為0.01molL～3molL；所述步驟（2）還添加有添加劑，該添加劑與圓滑修飾液的質量比為0.2～5:100；所述添加劑由以下質量份數比組分組成：0.1～5質量份芐基三甲基氯化銨、1～3質量份檸檬酸鈉、0.5～3質量份瓜爾豆膠、100質量份水；（3）圓滑修飾：將制絨后的晶硅片放置于圓滑修飾液中，在溫度8℃～40℃下刻蝕15s～180s，對晶硅片的金字塔形貌結構的塔頂和塔底位置進行刻蝕修飾成圓滑過渡結構，利于鈍化膜的沉積，降低頂尖和塔底交界處的復合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人松山湖材料實驗室;中國科學院物理研究所，其通訊地址為：523000 廣東省東莞市松山湖大學創新城A1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。