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龍圖騰網恭喜ASMIP私人控股有限公司申請的專利襯底支撐板、包括它的襯底處理設備以及襯底處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112992637B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011237367.7，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權襯底支撐板、包括它的襯底處理設備以及襯底處理方法是由金大淵;金材玹;李承桓設計研發完成，并于2020-11-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本襯底支撐板、包括它的襯底處理設備以及襯底處理方法在說明書摘要公布了：一種能夠選擇性地在其斜角區域中處理薄膜的襯底處理設備包括用于支撐待處理襯底的襯底支撐板，襯底支撐板包括：內部，其上表面的面積小于待處理襯底的面積；以及圍繞內部的外圍部分，其中外圍部分的上表面在內部的上表面下方。

本發明授權襯底支撐板、包括它的襯底處理設備以及襯底處理方法在權利要求書中公布了：1.一種襯底處理設備，包括：襯底支撐板，包括內部，其上表面的面積小于待處理襯底的面積；以及圍繞內部的外圍部分，其中，所述外圍部分的上表面在所述內部的上表面下方；以及襯底支撐板上的氣體供應單元，所述氣體供應單元包括直接面對所述襯底支撐板的電極表面，且RF功率施加到所述電極表面，其中，所述內部和氣體供應單元之間的第一距離小于所述外圍部分和氣體供應單元之間的第二距離，其中，所述外圍部分包括至少一個路徑，其中，所述至少一個路徑的一部分垂直于所述襯底支撐板的上表面從所述外圍部分朝向襯底支撐板的上表面延伸；其中，所述氣體供應單元供應至少第一氣體，所述第一氣體由從氣體供應單元的中心下表面到邊緣下表面的電極表面和襯底支撐板之間的電勢差電離；其中，由于氣體供應單元和襯底之間的第一距離內的電勢差，來自氣體供應單元的第一氣體在氣體供應單元的中心下表面處的自由基的產生被抑制，同時由于氣體供應單元和襯底支撐板的外圍部分之間的第二距離內的電勢差，通過在氣體供應單元的邊緣下表面處的電極表面產生來自氣體供應單元的第一氣體的自由基，其中第二距離大于第一距離；其中，所述至少一個路徑與外部腔室流體連通，以提供第二氣體，所述第二氣體包括F2、NF3、ClF3和Cl2中的至少一種；其中，在產生氣體的自由基期間，第二氣體通過所述至少一個路徑向襯底的下邊緣和襯底支撐板提供；以及其中，RF電力的大小和第一氣體對第二氣體的流量比被調節，以實現對稱的斜角蝕刻。

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