恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司黃仁安獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112993011B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011493051.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體結構及其形成方法是由黃仁安;林毓超;李東穎設計研發完成，并于2020-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種半導體結構及其形成方法。半導體結構包含位于基底之上的第一全繞式柵極場效晶體管以及相鄰于第一全繞式柵極場效晶體管的第一鰭式場效晶體管，第一全繞式柵極場效晶體管包含多個第一納米結構以及圍繞第一納米結構的第一柵極堆疊。第一鰭式場效晶體管包含第一鰭結構以及位于第一鰭結構之上的第二柵極堆疊。半導體結構還包含柵極切割部件，柵極切割部件插入第一全繞式柵極場效晶體管的第一柵極堆疊與第一鰭式場效晶體管的第二柵極堆疊之間。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括：一第一全繞式柵極場效晶體管，位于一基底之上，其中該第一全繞式柵極場效晶體管包括：多個第一納米結構以及圍繞多個所述第一納米結構的一第一柵極堆疊；一第一鰭式場效晶體管，相鄰于該第一全繞式柵極場效晶體管，其中該第一鰭式場效晶體管包括：一第一鰭結構以及位于該第一鰭結構之上的一第二柵極堆疊，其中該第一鰭結構包括：一第一浮置鰭元件，且該第一鰭式場效晶體管的該第二柵極堆疊包括：一柵極介電層，覆蓋該第一浮置鰭元件的上表面、側壁以及底面；以及一柵極切割部件，插入該第一全繞式柵極場效晶體管的該第一柵極堆疊與該第一鰭式場效晶體管的該第二柵極堆疊之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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