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龍圖騰網恭喜揚州揚杰電子科技股份有限公司申請的專利一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695112B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011638912.3，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法是由趙成;韓亞;孫越;王思元;王毅設計研發完成，并于2020-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法在說明書摘要公布了：一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法，涉及氮化鎵功率半導體器件。包括基板、過渡層、漂移層、有源區、漂移通道、場板和金屬電極層；有源區包括依次相接的漂移層和有源區第一半導體層；有源區第一半導體層、漂移層和兩個漂移通道構成一個環狀的漂移區結構，相對于僅有橫向漂移區的橫向型氮化鎵肖特基勢壘二極管結構或者僅有垂直漂移區的垂直型氮化鎵肖特基勢壘二極管結構，漂移區的路徑總長度大于制作在相同基板及外延層尺寸的橫向型器件結構，由此增大氮化鎵肖特基勢壘二極管的阻斷電壓。本案具有提高器件的阻斷電壓，同時使陽極電極、陰極電極和場板電極匯集于器件結構的頂面，形成共面的器件輸入輸出電極結構，便于器件平面集成等特點。

本發明授權一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵肖特基勢壘二極管制備方法，其特征在于，包括以下步驟：1）準備基板；2）在基板上生長過渡層；3）在過渡層上生長漂移層；4）在漂移層上生長歐姆接觸層；5）采用深反應離子干法刻蝕方法刻蝕歐姆接觸層和漂移層，形成漂移通道內隔離層溝槽和漂移通道外隔離層溝槽；6）淀積絕緣氧化物填充漂移通道內隔離層溝槽和漂移通道外隔離層溝槽，形成漂移通道內隔離層和漂移通道外隔離層；7）刻蝕兩個漂移通道內隔離層，形成場板溝槽；8）淀積場板金屬層填充場板溝槽，形成場板；9）刻蝕兩個漂移通道內隔離層之間的歐姆接觸層和漂移層，形成有源區凹槽；10）在有源區凹槽內生長連通漂移層的有源區第一半導體層，并填充有源區凹槽；11）采用光刻方法形成用于制作場板絕緣層的光刻膠掩模層；12）淀積用于制作場板絕緣層的二氧化硅層或者氮化硅層；13）剝離方法形成場板絕緣層；14）采用光刻方法形成用于制作陽極電極的光刻膠掩模層；15）淀積陽極電極金屬層；16）采用剝離方法形成陽極電極；17）采用光刻方法形成用于制作陰極電極、場板電極的光刻膠掩模層；18）淀積陰極電極、場板電極金屬層，并采用剝離方法形成陰極電極和場板電極；19）退火方法形成陰極電極與相應半導體層的歐姆接觸。

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