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龍圖騰網(wǎng)恭喜鎧俠股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置、存儲設(shè)備、及晶體管的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114203808B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110249966.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置、存儲設(shè)備、及晶體管的制造方法是由細(xì)田達(dá)矢;成田容久設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置、存儲設(shè)備、及晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：實(shí)施方式提供一種能夠使特性穩(wěn)定提高的半導(dǎo)體裝置、存儲設(shè)備、及晶體管的制造方法。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備襯底、襯底上的柵極絕緣膜、積層半導(dǎo)體層、及積層半導(dǎo)體層上或積層半導(dǎo)體層的上方的金屬層。積層半導(dǎo)體層具有：第1層，形成在柵極絕緣層上，并且包含摻雜有磷的多晶半導(dǎo)體；第2層，形成在第1層上，并且包含摻雜有碳的多晶半導(dǎo)體；及第3層，形成在第2層上，并且包含摻雜有磷或未摻雜磷的多晶半導(dǎo)體。第3層的磷含量少于第1層的磷含量，或第3層不含磷。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置、存儲設(shè)備、及晶體管的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：襯底；所述襯底上的柵極絕緣層；積層半導(dǎo)體層，具有：第1層，形成在所述柵極絕緣層上，并且包含摻雜有磷的多晶半導(dǎo)體；第2層，形成在所述第1層上，并且包含摻雜有碳的多晶半導(dǎo)體；及第3層，形成在所述第2層上，并且包含摻雜有磷或未摻雜磷的多晶半導(dǎo)體；以及所述積層半導(dǎo)體層上或所述積層半導(dǎo)體層的上方的金屬層；且所述第3層的磷含量少于所述第1層的磷含量，或所述第3層中不含磷。

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