恭喜ASMIP私人控股有限公司姜成圭獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜ASMIP私人控股有限公司申請的專利形成薄膜的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113493906B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110339032.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/505；該發(fā)明授權(quán)形成薄膜的方法是由姜成圭;崔鐘完;金英勛;金熙哲;李庚垠;柳太熙設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本形成薄膜的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種用于填充間隙而無縫隙或空隙的襯底處理方法，所述方法包含：在反應(yīng)室中提供具有間隙的襯底，對所述反應(yīng)室進行抽氣到5托或以下的壓力，以及通過交替且依次供應(yīng)前體、反應(yīng)物和包含相對高射頻分量和相對低射頻分量的射頻電磁輻射來用膜填充所述間隙。
本發(fā)明授權(quán)形成薄膜的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種襯底處理方法，其包含：在反應(yīng)室中提供具有溝槽的襯底；對所述反應(yīng)室進行抽氣到5托或以下的壓力；并且通過沉積循環(huán)用膜填充所述溝槽，所述沉積循環(huán)包含：供應(yīng)前體；連續(xù)供應(yīng)反應(yīng)物；供應(yīng)包含高射頻分量和低射頻分量的射頻電磁輻射；以及重復(fù)該沉積循環(huán)直到所述溝槽被膜填充，其中所述高射頻分量的頻率為12到60MHz，所述低射頻分量的頻率為0.3到2MHz。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人ASMIP私人控股有限公司，其通訊地址為：荷蘭阿爾梅勒；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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