恭喜華邦電子股份有限公司莊哲輔獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華邦電子股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115312525B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110493679.2，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權半導體結構及其形成方法是由莊哲輔;廖修漢設計研發完成，并于2021-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構及其形成方法，該方法包含：依序形成第一至第三犧牲層于基板上。基板包含存儲器單元區域及周邊區域。周邊區域包含字線區域。移除字線區域中的第二及第三犧牲層，以暴露位于字線區域中的第一犧牲層的頂表面。移除字線區域中的第一犧牲層以及存儲器單元區域中的第三犧牲層。在字線區域中形成字線介電層于基板上。形成第一導電層于字線介電層上。移除存儲器單元區域中的第一及第二犧牲層。在存儲器單元區域中形成穿隧介電層于基板上。穿隧介電層的厚度小于字線介電層的厚度。形成浮置柵極層于穿隧介電層上。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：形成一第一犧牲層于一基板上，其中所述基板包含一存儲器單元區域及一周邊區域，所述周邊區域包括一字線區域；形成一第二犧牲層于所述第一犧牲層上；形成一第三犧牲層于所述第二犧牲層上；移除所述字線區域中的所述第三犧牲層及所述第二犧牲層，以暴露位于所述字線區域中的所述第一犧牲層的頂表面；移除所述字線區域中的所述第一犧牲層以及所述存儲器單元區域中的所述第三犧牲層；在所述字線區域中形成一字線介電層于所述基板上；形成一第一導電層于所述字線介電層上；移除所述存儲器單元區域中的所述第二犧牲層；移除所述存儲器單元區域中的所述第一犧牲層；在所述存儲器單元區域中形成一穿隧介電層于所述基板上，其中所述穿隧介電層的厚度小于所述字線介電層的厚度；以及形成一浮置柵極層于所述穿隧介電層上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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