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恭喜北京航空航天大學聶天曉獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜北京航空航天大學申請的專利一種全范德華自旋太赫茲發射器及調控太赫茲波強弱以及極性的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113922192B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110980497.8,技術領域涉及:H01S1/02;該發明授權一種全范德華自旋太赫茲發射器及調控太赫茲波強弱以及極性的方法是由聶天曉;王海宇;楊晴設計研發完成,并于2021-08-25向國家知識產權局提交的專利申請。

一種全范德華自旋太赫茲發射器及調控太赫茲波強弱以及極性的方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種全范德華自旋太赫茲發射器及調控太赫茲波強弱以及極性的方法。該全范德華自旋太赫茲發射器包括:飛秒激光器、納米薄膜、電壓源;飛秒激光器用于輸出穿透納米薄膜的泵浦激光,以產生第一太赫茲脈沖;納米薄膜為非鐵磁層和鐵磁層構建的全范德華異質結構;鐵磁層的材料為二維磁性材料;電壓源用于向非鐵磁層輸入電流,調控非鐵磁層材料的費米能級距離狄拉克點的位置以改變第一太赫茲脈沖的強弱,以及產生極性相反的第二太赫茲脈沖。本發明還提供了一種調控太赫茲波強弱以及極性的方法。上述太赫茲波發生器是采用二維鐵磁材料制備鐵磁層,與由范德華拓撲材料制成的非鐵磁層構建全范德華異質結構。

本發明授權一種全范德華自旋太赫茲發射器及調控太赫茲波強弱以及極性的方法在權利要求書中公布了:1.一種全范德華自旋太赫茲發射器,其包括:飛秒激光器、納米薄膜、電壓源,其中:所述飛秒激光器用于輸出穿透納米薄膜的泵浦激光,以產生第一太赫茲脈沖;所述納米薄膜為非鐵磁層和鐵磁層構建的全范德華異質結構;所述鐵磁層的材料為二維磁性材料;所述電壓源用于調控非鐵磁層的載流子濃度,調控非鐵磁層材料的費米能級距離狄拉克點的位置以改變第一太赫茲脈沖的強弱,以及產生極性相反的第二太赫茲脈沖;所述二維磁性材料為在室溫下具有磁性的二維范德華材料,選自Fe4GeTe2、Fe4+xGeTe2、Fe5GeTe2中的一種或兩種以上的組合;所述非鐵磁層的材料為范德華拓撲材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人北京航空航天大學,其通訊地址為:100191 北京市海淀區學院路37號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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