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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)的專利分柵式閃存存儲(chǔ)器的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113990876B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111276183.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)分柵式閃存存儲(chǔ)器的制造方法是由孫旭軒;陳莉芬;李秀然;劉宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本分柵式閃存存儲(chǔ)器的制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種分柵式閃存存儲(chǔ)器的制造方法，在形成浮柵尖端以后，通過(guò)對(duì)浮柵層進(jìn)行氧化處理，可使得所述浮柵尖端圓滑化，減少浮柵中的電子泄露，降低漏電流，有助于提高數(shù)據(jù)保持能力，從而提高存儲(chǔ)器的擦除性能。進(jìn)一步的，通過(guò)對(duì)所述浮柵層進(jìn)行氧化處理，可降低所述浮柵尖端的高度，并可提高所述浮柵層的表面的光滑度，使得所述浮柵層與字線之間的電容減小，從而使得電容耦合率也相應(yīng)減小，進(jìn)而提高存儲(chǔ)器的編程性能。

本發(fā)明授權(quán)分柵式閃存存儲(chǔ)器的制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種分柵式閃存存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成浮柵材料層和硬掩膜層，所述硬掩膜層中具有暴露出部分所述浮柵材料層的第一開(kāi)口；以所述硬掩膜層為掩膜刻蝕暴露出的部分厚度的所述浮柵材料層，以使所述浮柵材料層的頂表面呈圓弧形；形成側(cè)墻層，所述側(cè)墻層覆蓋所述第一開(kāi)口的側(cè)壁以所述側(cè)墻層和所述硬掩膜層為掩膜，刻蝕暴露出的所述浮柵材料層以形成所述浮柵層；在所述半導(dǎo)體襯底上字線，所述字線貫穿所述浮柵層；刻蝕所述浮柵層以形成浮柵尖端，所述浮柵尖端形成于所述浮柵層遠(yuǎn)離所述字線的頂角處；對(duì)所述側(cè)墻層進(jìn)行減薄處理，以完全暴露出所述浮柵尖端；對(duì)所述浮柵層進(jìn)行氧化處理，以使所述浮柵尖端圓滑化，其中，氧化處理后的所述浮柵尖端較氧化處理前的所述浮柵尖端圓滑。

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