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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利一種集成增加集成在高壓環內升壓二極管電流的結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114220841B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111513906.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種集成增加集成在高壓環內升壓二極管電流的結構是由王佰勝;金鋒;潘山山;苗彬彬;周柳怡;朱冬慧;都文韜設計研發完成，并于2021-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種集成增加集成在高壓環內升壓二極管電流的結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種增加集成在高壓環內升壓二極管電流的結構，第一至第三橫向平直部、U型部以及縱向平直部；U型部包括第一、第二U型縱向部以及U型端；第一、第二U型縱向部的一端分別連接于U型端的兩端；第一橫向平直部的一端連接于U型部中第一U型縱向部的另一端；第二U型縱向部的另一端與第二橫向平直部的一端連接；第二橫向平直部的另一端連接于縱向平直部的一端；縱向平直部的另一端連接于第三橫向平直部的一端；第一、第二橫向平直部處于一條直線上；第三橫向平直部與所述第一、第二橫向平直部相互平行；U型部處于第一、第二橫向平直部與第三橫向平直部之間。本發明集成了升壓二極管的高壓環結構，這種結構增加LDMOS寬度并增大升壓二極管的電流。

本發明授權一種集成增加集成在高壓環內升壓二極管電流的結構在權利要求書中公布了：1.一種集成增加集成在高壓環內升壓二極管電流的結構，其特征在于，至少包括：第一至第三橫向平直部、U型部以及縱向平直部；所述U型部包括第一、第二U型縱向部以及U型端；其中所述第一、第二U型縱向部的一端分別連接于所述U型端的兩端；所述第一橫向平直部的一端連接于所述U型部中所述第一U型縱向部的另一端；所述第二U型縱向部的另一端與所述第二橫向平直部的一端連接；所述第二橫向平直部的另一端連接于所述縱向平直部的一端；所述縱向平直部的另一端連接于所述第三橫向平直部的一端；所述第一、第二橫向平直部處于一條直線上；所述第三橫向平直部與所述第一、第二橫向平直部相互平行；并且所述U型部處于所述第一、第二橫向平直部與所述第三橫向平直部之間；所述第一至第三橫向平直部、U型部以及縱向平直部分別包括：外延區，位于所述外延區內的P阱、位于所述P阱內表面的N阱；位于所述N阱內表面的第一N+區；所述第一N+區邊緣的一側設有從所述N阱上表面延伸至所述P阱上表面的第一多晶硅柵；所述N阱遠離所述第一多晶硅柵一側的所述P阱內上表面設有P+區。

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