恭喜中國電子科技集團公司第十三研究所劉佳佳獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利一種半導體器件的隔離制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242588B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111575095.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種半導體器件的隔離制備方法是由劉佳佳;胡澤先;譚永亮;呂鑫;馬杰;劉相伍設計研發完成，并于2021-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件的隔離制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件的隔離制備方法。該方法包括：在襯底表面依次生長高阻外延層、介質膜層；對介質膜層的與有源區對應的部分進行刻蝕，露出高阻外延層；對露出的高阻外延層進行指定深度的刻蝕；在高阻外延層的刻蝕區域外延生長器件層。本發明能夠通過設置高阻外延層，在高阻外延層刻蝕凹槽，在凹槽內生長器件層，高阻外延層保護器件層的側面，減少了側面漏電。
本發明授權一種半導體器件的隔離制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的隔離制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：在襯底表面依次生長高阻外延層、介質膜層；對所述介質膜層的與有源區對應的部分進行刻蝕，露出高阻外延層；對露出的高阻外延層進行指定深度的刻蝕；在高阻外延層的刻蝕區域外延生長器件層；其中，所述高阻外延層的厚度大于所述器件層的厚度；所述器件層的厚度與所述指定深度相同；所述高阻外延層的電阻率大于106歐姆·厘米；所述高阻外延層的材料與所述器件層的材料包括同一種材料；高阻外延層和器件層采用同一種材料進行同質外延生長。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第十三研究所，其通訊地址為：050051 河北省石家莊市合作路113號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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