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龍圖騰網恭喜世界先進積體電路股份有限公司申請的專利高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111987155B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910432625.8，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法是由陳志諺設計研發完成，并于2019-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法，其中裝置包含半導體層、柵極電極、第一介電層、源極場板、第二介電層、源極電極、第三介電層以及漏極結構。柵極電極設置于半導體層上。第一介電層設置于柵極電極上且具有第一凹槽位于柵極電極的第一側，其中第一凹槽的底表面低于柵極電極的頂表面。源極場板設置于第一介電層上且從柵極電極的第二側延伸至第一凹槽內。第二介電層設置于源極場板上。源極電極設置于第二介電層上且與源極場板電連接。第三介電層設置于源極電極上。漏極結構設置于柵極電極的第一側且穿過第三介電層，其中第一凹槽位于漏極結構和柵極電極之間。

本發明授權高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，包括： 一柵極電極，設置于一半導體層上； 一第一介電層，設置于該柵極電極上且具有一第一凹槽位于該柵極電極的一第一側，其中該第一凹槽的一底表面低于該柵極電極的一頂表面； 一源極場板，設置于該第一介電層上且從該柵極電極的一第二側延伸至該第一凹槽內； 一第二介電層，設置于該源極場板上，且具有一開口位于該柵極電極的該第二側； 一源極電極，順應地設置于該第二介電層的該開口中，且與該源極場板電連接； 一第三介電層，設置于該源極電極上； 一源極接觸件，從該源極場板的最頂表面下方延伸至該源極電極的最頂表面上方；以及 一漏極結構，設置于該柵極電極的該第一側且穿過該第三介電層，其中該第一凹槽位于該漏極結構和該柵極電極之間，其中 該第二介電層具有一第二凹槽，并且其中該第二凹槽位于該第一凹槽和該漏極結構之間，且該源極電極延伸至該第二凹槽內。

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