恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司宗立超獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利用于后照式圖像傳感器的激光退火方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497098B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210022068.4，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權用于后照式圖像傳感器的激光退火方法是由宗立超;王星杰;顧培樓設計研發完成，并于2022-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于后照式圖像傳感器的激光退火方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種用于后照式圖像傳感器的激光退火方法，提供襯底，對襯底的背面減薄，再對襯底進行濕洗；在襯底的正面形成第一二氧化硅層；對襯底進行摻雜，在襯底的頂端生成摻雜層；采用高能激光對襯底進行退火，使得第一二氧化硅層轉化為硅層。本發明對襯底進行激光退火前淀積有二氧化硅層，減少砷離子注入過程中的隧道效應；在激光退火過程中保護硅，防止襯底局部區域在激光退火產生的高溫下熔融；二氧化硅有激光增透的作用，退火效果更好；二氧化硅將與炭反應并在增強的激光退火中轉變為純硅，無需濕法保護前表面。
本發明授權用于后照式圖像傳感器的激光退火方法在權利要求書中公布了：1.一種用于后照式圖像傳感器的激光退火方法，其特征在于，至少包括：步驟一、提供襯底，之后對所述襯底的背面減薄，再對所述襯底進行濕洗；步驟二、在所述襯底的正面形成第一二氧化硅層；步驟三、對所述襯底進行摻雜，在所述襯底的正面頂端生成摻雜層；步驟四、采用高能激光對所述襯底進行退火，使得所述第一二氧化硅層在高溫下與炭發生反應轉化為硅層，所述硅層在激光退火過程中用于保護所述襯底，防止所述襯底局部區域在激光退火產生的高溫下熔融，以及起到激光增透的作用，增強退火效果。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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