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龍圖騰網(wǎng)恭喜江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種紅黃GaAs系LED芯片制備方法及LED芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114551657B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210110581.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種紅黃GaAs系LED芯片制備方法及LED芯片是由竇志珍;蘭曉雯;楊琦;賈釗;胡加輝;金從龍;顧偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-01-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種紅黃GaAs系LED芯片制備方法及LED芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種紅黃GaAs系LED制備方法及芯片，所述方法包括：提供GaAs襯底；在所述GaAs襯底上生長外延層；在所述外延層上依次生長第一碳摻GaP層以及第二碳摻GaP層，并在所述第二碳摻GaP層上蒸鍍AuBe；通過退火使所述AuBe中的Be離子擴散至所述第二碳摻GaP層中，后蝕刻蒸鍍的所述AuBe以露出所述第二碳摻GaP層；在所述第二碳摻GaP層生長CB層，并在所述CB層上設(shè)置鏡面金屬層。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在兼顧高出光效率的同時避免了芯片的整體電壓偏高。

本發(fā)明授權(quán)一種紅黃GaAs系LED芯片制備方法及LED芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種紅黃GaAs系LED芯片制備方法，其特征在于，所述方法包括：提供GaAs襯底；在所述GaAs襯底上生長外延層；在所述外延層上依次生長第一碳摻GaP層以及第二碳摻GaP層，并在所述第二碳摻GaP層上蒸鍍AuBe；通過退火使所述AuBe中的Be離子擴散至所述第二碳摻GaP層中，后蝕刻蒸鍍的所述AuBe以露出所述第二碳摻GaP層；在所述第二碳摻GaP層生長CB層，并在所述CB層上設(shè)置鏡面金屬層；所述通過退火使所述AuBe中的Be離子擴散至所述第二碳摻GaP層中，后蝕刻蒸鍍的所述AuBe以露出所述第二碳摻GaP層的步驟中，所述Be離子比例為15%~20%；所述在所述外延層上依次生長第一碳摻GaP層以及第二碳摻GaP層，并在所述第二碳摻GaP層上蒸鍍AuBe的步驟包括：在所述外延層上生長設(shè)定摻雜濃度的第一碳摻GaP層，然后以每預(yù)設(shè)摻雜濃度為一個臺階過渡至設(shè)定濃度的過渡GaP層，接著繼續(xù)生長設(shè)定摻雜濃度的第二碳摻GaP層，并在所述第二碳摻GaP層上蒸鍍AuBe。

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