恭喜愛思開海力士有限公司具元泰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜愛思開海力士有限公司申請的專利包括包含金屬-有機框架的層間絕緣結構的半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115224043B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210186198.1，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權包括包含金屬-有機框架的層間絕緣結構的半導體裝置是由具元泰;韓在賢;李世昊設計研發完成，并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括包含金屬-有機框架的層間絕緣結構的半導體裝置在說明書摘要公布了：本申請涉及包括包含金屬?有機框架的層間絕緣結構的半導體裝置。根據本公開的實施方式的半導體裝置包括：基板；柵極結構，其設置于基板上方；介電結構，其在基板上方設置為接觸柵極結構的側壁表面；以及溝道層，其在基板上方設置在介電結構的側壁表面上。柵極結構包括交替層疊的柵電極層和層間絕緣結構。層間絕緣結構包括金屬?有機框架層。
本發明授權包括包含金屬-有機框架的層間絕緣結構的半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：基板；柵極結構，所述柵極結構設置于所述基板上方，所述柵極結構包括交替層疊的柵電極層和層間絕緣結構；介電結構，所述介電結構在所述基板上方設置為接觸所述柵極結構的側壁表面；以及溝道層，所述溝道層在所述基板上方設置在所述介電結構的側壁表面上，其中，所述層間絕緣結構包括金屬-有機框架層和內絕緣層，其中，所述金屬-有機框架層在垂直方向上接觸所述柵電極層的表面，其中，所述內絕緣層與所述柵電極層間隔開，并且在所述垂直方向上填充所述金屬-有機框架層之間的整個空間，并且其中，所述內絕緣層包括氧化物、氮化物和氮氧化物中的任一種。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人愛思開海力士有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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