恭喜湘潭大學楊穗獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜湘潭大學申請的專利一種具有梯度帶隙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649478B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210263966.9，技術領域涉及：H10K30/30；該發明授權一種具有梯度帶隙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池結構是由楊穗;奚婷婷;易捷設計研發完成，并于2022-03-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有梯度帶隙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池結構在說明書摘要公布了：本發明公開一種具有梯度帶隙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池結構。空穴傳輸層與鈣鈦礦材料界面處導帶帶階CBO為正，價帶帶階VBO為0.09eV?0.3eV，與鈣鈦礦材料接觸界面的導帶和價帶逐步抬高至與背電極的接觸界面。本發明具有梯度帶隙的空穴傳輸層形成的電場有利于將光生空穴輸運到背電極。正的CBO在鈣鈦礦層與空穴層產生一個尖峰能有效的防止空穴層中的電子向鈣鈦礦層輸運，減少了與鈣鈦礦層光生空穴的復合，從而有利于減小復合電流，增大開路電壓。稍正的VBO既能保證鈣鈦礦材料中的光生空穴有效隧穿到空穴傳輸層，同時能減小空穴的復合。與均勻帶隙相比，本發明所述結構的轉換效率明顯提升。
本發明授權一種具有梯度帶隙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池結構在權利要求書中公布了：1.一種具有梯度帶隙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池結構，其特征在于：所述鈣鈦礦太陽能電池結構具有梯度帶隙的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層與鈣鈦礦材料接觸界面的禁帶寬度小于所述空穴傳輸層與背電極的禁帶寬度；所述空穴傳輸層的導帶底和價帶頂從與鈣鈦礦材料接觸界面逐步抬高至與背電極的接觸界面；所述空穴傳輸層與鈣鈦礦材料界面處價帶帶階VBO為正；所述空穴傳輸層與鈣鈦礦材料界面處導帶帶階CBO為正；所述空穴傳輸層為無機黃銅礦半導體材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湘潭大學，其通訊地址為：411105 湖南省湘潭市雨湖區羊牯塘27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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