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恭喜長江存儲科技有限責任公司張翔宇獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體結構的漏電定位方法及漏電定位系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114690014B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210291080.5,技術領域涉及:G01R31/26;該發明授權半導體結構的漏電定位方法及漏電定位系統是由張翔宇;盧勤;侯大姣;張志偉設計研發完成,并于2022-03-23向國家知識產權局提交的專利申請。

半導體結構的漏電定位方法及漏電定位系統在說明書摘要公布了:本申請提供了一種半導體結構的漏電定位方法及漏電定位系統。所述半導體結構包括半導體層、金屬層以及沿第一方向貫穿所述半導體層的多個接觸部,其中,所述接觸部包括導電層和絕緣層,所述絕緣層繞所述第一方向包圍所述導電層,所述導電層經由所述金屬層電連接,其特征在于,所述方法包括:從所述半導體結構中提取包括漏電接觸部的初始樣品,其中,所述漏電接觸部中的導電層與所述半導體層電連接;去除所述初始樣品中的金屬層,制得檢測樣品,其中,所述檢測樣品中的半導體層接地;以及對所述檢測樣品中的接觸部進行檢測,并基于檢測結果定位所述漏電接觸部。

本發明授權半導體結構的漏電定位方法及漏電定位系統在權利要求書中公布了:1.半導體結構的漏電定位方法,所述半導體結構包括半導體層、金屬層以及沿第一方向貫穿所述半導體層的多個接觸部,其中,所述接觸部包括導電層和絕緣層,所述絕緣層繞所述第一方向包圍所述導電層,所述導電層經由所述金屬層電連接,其特征在于,所述方法包括:從所述半導體結構中提取包括漏電接觸部的初始樣品,其中,所述漏電接觸部中的導電層與所述半導體層電連接;去除所述初始樣品中的金屬層制得檢測樣品,其中,所述檢測樣品中的半導體層接地,所述金屬層包括在所述第一方向上分別位于所述半導體層兩側并與所述導電層連接的第一金屬層和第二金屬層;以及對所述檢測樣品中的接觸部進行檢測,并基于檢測結果定位所述漏電接觸部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司,其通訊地址為:430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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