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恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司張振興獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利應用于三軸磁傳感器的金屬層刻蝕方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114824064B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210420604.6,技術領域涉及:H10N50/01;該發明授權應用于三軸磁傳感器的金屬層刻蝕方法是由張振興設計研發完成,并于2022-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。

應用于三軸磁傳感器的金屬層刻蝕方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種應用于三軸磁傳感器的金屬層刻蝕方法,包括:提供一襯底,該襯底包括三維區域和二維區域,三維區域形成有具有三維形貌的磁傳感器,三維區域和二維區域上形成有金屬層,金屬層從下而上依次包括第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層;在第三金屬層上覆蓋光阻,使目標區域的第三金屬層暴露;進行第一刻蝕,刻蝕至第二金屬層中的目標深度,形成第一溝槽,在進行第一刻蝕的過程中,通過提高鈍化氣體的流量比例使第一溝槽呈現為開口寬度大于底端寬度的形貌;進行第二刻蝕,刻蝕停止至第一金屬層的表面,形成第二溝槽,在進行第二刻蝕的過程中,通過提高鈍化氣體的流量比例使第二溝槽呈現為開口寬度大于底端寬度的形貌。

本發明授權應用于三軸磁傳感器的金屬層刻蝕方法在權利要求書中公布了:1.一種應用于三軸磁傳感器的金屬層刻蝕方法,其特征在于,包括:提供一襯底,所述襯底包括三維區域和二維區域,所述三維區域形成有具有三維形貌的磁傳感器,所述三維區域和所述二維區域上形成有金屬層,所述襯底包括氮化硅層,所述金屬層從下而上依次包括第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層;在所述第三金屬層上覆蓋光阻,使目標區域的第三金屬層暴露;進行第一刻蝕,刻蝕至所述第二金屬層中的目標深度,形成第一溝槽,在進行所述第一刻蝕的過程中,通過提高鈍化氣體的流量比例使所述第一溝槽呈現為開口寬度大于底端寬度的形貌;進行第二刻蝕,刻蝕停止至所述第一金屬層的表面,形成第二溝槽,在進行所述第二刻蝕的過程中,通過提高鈍化氣體的流量比例使所述第二溝槽呈現為開口寬度大于底端寬度的形貌;其中,所述鈍化氣體包括三氟甲烷、二氟甲烷、八氟環丁烷、氟甲烷以及氮氣中的至少一種,所述鈍化氣體和刻蝕氣體的流量比例為2:1至3:1。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祖沖之路1399號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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