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龍圖騰網恭喜周星工程股份有限公司申請的專利薄膜形成裝置及使用其的薄膜形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112602167B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980050657.X，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權薄膜形成裝置及使用其的薄膜形成方法是由具泍會;黃喆周設計研發完成，并于2019-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本薄膜形成裝置及使用其的薄膜形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種薄膜形成裝置和使用其的薄膜形成方法，其能夠通過在薄膜形成裝置的處理腔室中劃分反應空間，從而在第一空間中在襯底上形成硅薄膜并在第二空間中通過使用等離子體對在第一空間中形成的硅薄膜的表面進行處理來改善硅薄膜的膜質量。通過根據本公開的薄膜形成裝置和使用其的薄膜形成方法，在圖案復雜化且圖案深度增大的趨勢下，可以更有效地去除薄膜中的雜質，可以在圖案上形成均勻的薄膜，并且可以使硅薄膜的晶體的晶粒尺寸均勻。

本發明授權薄膜形成裝置及使用其的薄膜形成方法在權利要求書中公布了：1.一種薄膜形成裝置，包括：處理腔室，其提供反應空間；襯底支撐件，其安裝在所述處理腔室中并且支撐襯底；腔室蓋，其覆蓋所述處理腔室的頂部；以及氣體注入模塊，其安裝在所述腔室蓋的底表面上，并向所述襯底注入處理氣體，所述反應空間包括：第一空間，其用于在所述襯底上形成硅薄膜，并且在形成硅薄膜的同時或之后將雜質注入所述硅薄膜中；以及第二空間，其用于通過使用等離子體來處理形成有所述硅薄膜的所述襯底的表面，并且處理所述襯底的表面以去除形成在所述表面上的自然氧化物膜或包含在所述襯底的所述表面中的雜質，其中，所述襯底通過所述襯底支撐件的旋轉而被移動到所述第一空間和所述第二空間，其中，所述氣體注入模塊包括：源氣體注入部件，其在所述第一空間中向所述襯底注入源氣體；等離子體氣體注入部件，其在所述第二空間中向所述襯底注入等離子體氣體；以及凈化氣體注入部件，其包括第一凈化氣體注入部件和第二凈化氣體注入部件，分別在所述處理腔室中的第一凈化空間和第二凈化空間中注入凈化氣體，其中，所述第一凈化空間是在所述襯底從所述第二空間移向所述第一空間時在所述第二空間與所述第一空間之間的注入凈化氣體的區域，以及其中，所述第二凈化空間是在所述襯底從所述第一空間移向所述第二空間時在所述第一空間與所述第二空間之間的注入凈化氣體的區域。

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