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龍圖騰網恭喜武漢鼎澤新材料技術有限公司;湖北鼎匯微電子材料有限公司;湖北鼎龍控股股份有限公司申請的專利一種顆粒物清除效率的快速評價方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110426399B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910720583.8，技術領域涉及：G01N21/94；該發明授權一種顆粒物清除效率的快速評價方法是由胡懷志;劉子龍;冉運;馬超;魏志遠;朱順全設計研發完成，并于2019-08-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種顆粒物清除效率的快速評價方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種顆粒物清除效率的快速評價方法，對半導體制造中化學機械拋光處理后的晶圓表面顆粒物的清除效率進行評價，包括：切割處理晶片得到晶片樣品，進行沾染實驗，獲得待清洗的晶樣；進行形貌分析，獲得清洗前三維形貌圖像；用清洗液進行清洗實驗，得到清洗后的晶樣；獲得清洗后三維形貌圖像；將得到的清洗前后三維形貌圖像分別在垂直方向上截取高度H處的橫截面，對應得到晶片表面清洗前后顆粒污染物狀況的圖像，對圖像進行分析處理，得到清洗前后顆粒污染物數量或面積，計算清洗效率，其中高度H大于晶片樣品表面的平均粗糙度且小于顆粒污染物平均粒徑的一半。本發明的評價方法能實現快速、低成本的清除效率的評價。

本發明授權一種顆粒物清除效率的快速評價方法在權利要求書中公布了：1.一種顆粒物清除效率的快速評價方法，其特征在于，包括以下步驟：1切割處理晶片得到晶片樣品，在晶片樣品表面通過已知粒徑的顆粒污染物進行沾染實驗，獲得待清洗的晶樣；2使用形貌表征儀器對待清洗的晶樣表面進行形貌分析，獲得清洗前三維形貌圖像；3在待清洗的晶樣表面用清洗液進行清洗實驗，得到清洗后的晶樣；4使用形貌表征儀器對清洗后的晶樣再次進行形貌分析，獲得清洗后三維形貌圖像；5對清洗前三維形貌圖像和清洗后三維形貌圖像進行處理，處理的方式為將得到的清洗前后三維形貌圖像分別在垂直方向上截取高度H處的橫截面，對應得到晶片表面清洗前后顆粒污染物狀況的圖像，然后對圖像進行數據處理，得到圖像區域內清洗前產后顆粒污染物數量或面積；其中，所述高度H大于晶片樣品表面的平均粗糙度且小于顆粒污染物平均粒徑的一半；6通過以下公式進行清除效率PRE的計算：

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢鼎澤新材料技術有限公司;湖北鼎匯微電子材料有限公司;湖北鼎龍控股股份有限公司，其通訊地址為：430057 湖北省武漢市武漢經濟技術開發區東荊路1號辦公樓6樓608室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。