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龍圖騰網恭喜龍騰半導體股份有限公司申請的專利氧化鋅表面氧吸附模型及建立方法、突觸性能的預測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119475828B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510067323.0，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權氧化鋅表面氧吸附模型及建立方法、突觸性能的預測方法是由尚秋辰;陳橋梁;張朝陽;楊樂設計研發完成，并于2025-01-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本氧化鋅表面氧吸附模型及建立方法、突觸性能的預測方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種氧化鋅表面氧吸附模型及建立方法、突觸性能的預測方法，氧化鋅表面氧吸附模型的建立方法包括：建立氧化鋅薄膜的幾何模型；基于氧化鋅薄膜在空氣中光響應的慢過程和幾何模型，利用一維泊松方程建立氧化鋅薄膜在慢過程的表面勢；基于幾何模型，利用歐姆定律微分形式分別建立暗場下和紫外光場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系；結合表面勢和紫外光場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系推導從暗場到紫外光場下電流隨時間變化的擬合函數，結合表面勢和暗場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系推導從紫外光場到暗場下電流隨時間變化的擬合函數，得到氧化鋅表面氧吸附模型。本發明建立的模型可以準確預測氧化鋅光電突觸器件的突觸性能。

本發明授權氧化鋅表面氧吸附模型及建立方法、突觸性能的預測方法在權利要求書中公布了：1.一種氧化鋅表面氧吸附模型的建立方法，其特征在于，包括步驟：建立氧化鋅薄膜的幾何模型，所述幾何模型為長方體；基于所述氧化鋅薄膜在空氣中光響應的慢過程和所述幾何模型，在直角坐標系下利用一維泊松方程建立所述氧化鋅薄膜在慢過程的表面勢；其中，所述氧化鋅薄膜在空氣中光響應的慢過程包括在暗場中氧氣的吸附過程和在紫外光場中氧氣的解吸過程；基于所述幾何模型，利用歐姆定律微分形式建立暗場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系和紫外光場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系；結合所述表面勢和所述紫外光場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系推導從暗場到紫外光場下電流隨時間變化的擬合函數，結合所述表面勢和所述暗場下氧化鋅薄膜的電流電壓關系推導從紫外光場到暗場下電流隨時間變化的擬合函數，得到氧化鋅表面氧吸附模型，其中，所述從暗場到紫外光場下電流隨時間變化的擬合函數為： 其中，I2為紫外光場下氧化鋅薄膜的電流，t為時間，k1為比例系數，ND為施主原子總數，Δn為紫外光產生的電子濃度，ni為本征載流子濃度，Δp為紫外光產生的空穴濃度，q為電荷量，μn為電子遷移率，V2為紫外光場下氧化鋅薄膜的電壓，L為長方體的長度，W為長方體的寬度，D為長方體的厚度，k為普朗克常量，T為溫度，ND+為電離施主雜質數，εr為氧化鋅介電常數，ε0為真空介電常數；所述從紫外光場到暗場下電流隨時間變化的擬合函數為： 其中，I1為暗場下氧化鋅薄膜的電流，V1為暗場下氧化鋅薄膜的電壓，Ntot為表面可吸附位置數，k2為比例系數。

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