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龍圖騰網恭喜深圳眾誠達應用材料股份有限公司申請的專利一種MOS靶材及其制備方法和薄膜晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119683970B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510194523.2，技術領域涉及：C04B35/01；該發明授權一種MOS靶材及其制備方法和薄膜晶體管是由周賢界;徐紅星;盧曉鵬;關澤漢;黃小玲;黃勇彪設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MOS靶材及其制備方法和薄膜晶體管在說明書摘要公布了：本申請涉及靶材制備技術領域，提供一種MOS靶材及其制備方法和薄膜晶體管，包括：將In、Ga、Sn三種離子的混合鹽溶液、沉淀劑和絡合劑進行共沉淀反應，經清洗濃縮后得到高純銦鎵錫氫氧化物膠體；將銦鎵錫氫氧化物膠體和助劑進行水熱反應，經清洗、干燥后得到第一銦鎵錫氧化物粉；將第一銦鎵錫氧化物粉進行煅燒處理得到第二銦鎵錫氧化物粉；將第二銦鎵錫氧化物粉、分散劑、消泡劑和純水球磨混合得到漿料；將漿料注漿成型得到素坯；將素坯在高氧條件下進行燒結處理得到MOS靶材。本申請將共沉淀反應、水熱反應和煅燒相結合，精確控制粉體的氧含量并使其輕微失氧，防止素坯燒結過程中In2O3失氧生成In2O或InO而影響靶材導電性。

本發明授權一種MOS靶材及其制備方法和薄膜晶體管在權利要求書中公布了：1.一種MOS靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將In、Ga、Sn三種離子的混合鹽溶液、沉淀劑和絡合劑進行共沉淀反應，經清洗、濃縮后得到高純銦鎵錫氫氧化物膠體；將質量比為（1~2）∶（0.01~0.05）的所述高純銦鎵錫氫氧化物膠體和助劑加入純水中攪拌均勻，得到懸浮液；所述助劑選自蔗糖、葡萄糖或果糖中的任意一種；將懸浮液轉移到反應釜的內膽中，并加入適量純水，使得懸浮液最終體積為反應釜內膽容積的70%，將反應釜放入150~250℃的干燥箱中，進行水熱反應12~24h后，經清洗、干燥得到輕微失氧的第一銦鎵錫氧化物粉；將所述第一銦鎵錫氧化物粉進行煅燒處理，得到輕微失氧且粒徑大于所述第一銦鎵錫氧化物粉的第二銦鎵錫氧化物粉；所述煅燒處理的氣氛為氬、氫體積比為（95~99）∶（1~5）的氬氫混合氣體；將所述第二銦鎵錫氧化物粉、分散劑、消泡劑和純水球磨混合，得到漿料；將所述漿料注漿成型，得到素坯；將所述素坯裝入氧化鋁套筒后置于燒結爐中，然后對所述氧化鋁套筒進行抽真空，在真空度為10-2~10-3Pa時開始通入氧氣并使所述氧化鋁套筒的氧壓為0.05~0.1MPa，隨后升溫至1400~1600℃進行保溫燒結12~48h，得到MOS靶材。

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