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龍圖騰網恭喜合肥康芯威存儲技術有限公司申請的專利一種存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119785838B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510279765.1，技術領域涉及：G11B33/14；該發明授權一種存儲器是由黃玉蝶;祝欣;吳強;李沐華設計研發完成，并于2025-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種存儲器在說明書摘要公布了：本發明提供了一種存儲器，包括：封裝基板，連接有主控模塊、閃存模塊、供電模塊、多個未連接引腳、多個焊球，未連接引腳與部分焊球連接；電流切換模塊，與供電模塊電連接；至少一個半導體溫控模塊，半導體溫控模塊包括：第一基板，位于主控模塊、閃存模塊的外圍；第二基板，與第一基板相對設置，第二基板與未連接引腳連接；半導體溫控陣列單元，形成于第一基板與第二基板之間；其中，電流切換模塊還與半導體溫控陣列單元電連接，用于根據主控模塊的控制信號，調整半導體溫控陣列單元內電流的流向，以控制半導體溫控陣列單元制冷或制熱。通過本發明提供的一種存儲器，能夠在極端溫度條件下正常工作。

本發明授權一種存儲器在權利要求書中公布了：1.一種存儲器，其特征在于，包括：封裝基板，所述封裝基板的一側連接有主控模塊、閃存模塊、供電模塊、多個未連接引腳，所述封裝基板的另一側連接有多個焊球，所述未連接引腳與部分焊球連接；電流切換模塊，與所述供電模塊電連接；至少一個半導體溫控模塊，所述半導體溫控模塊包括：第一基板，位于所述主控模塊、所述閃存模塊的外圍；第二基板，與所述第一基板相對設置，所述第二基板與未連接引腳連接；半導體溫控陣列單元，形成于所述第一基板與第二基板之間；所述半導體溫控陣列單元包括第一供電端與第二供電端；其中，所述電流切換模塊還與所述半導體溫控陣列單元電連接，用于根據所述主控模塊的控制信號，調整所述半導體溫控陣列單元內電流的流向，以控制所述半導體溫控陣列單元制冷或制熱；所述控制信號包括第一信號與第二信號；所述電流切換模塊包括第一切換電路與第二切換電路；在同一時刻，所述第一切換電路與所述第二切換電路不可同時向半導體溫控陣列單元供電；所述第一切換電路與所述主控模塊、所述半導體溫控陣列單元電連接；所述第一切換電路用于根據第一信號進行導通，并向所述半導體溫控陣列單元進行供電；所述第一切換電路與半導體溫控陣列單元中的電流的流向記為第一方向；所述第二切換電路與所述主控模塊、所述半導體溫控陣列單元電連接；所述第二切換電路用于根據第二信號進行導通，并向所述半導體溫控陣列單元進行供電；所述第二切換電路與半導體溫控陣列單元中的電流的流向記為第二方向；所述第一方向與第二方向相反；所述第一切換電路包括第一MOS管與第二MOS管；所述第一MOS管與第二MOS管根據第一信號進行導通；所述第一MOS管的柵極與所述主控模塊電連接，所述第一MOS管的源極與所述供電模塊電連接，所述第一MOS管的漏極與所述第一供電端電連接；所述第二MOS管的柵極與所述主控模塊電連接，所述第二MOS管的源極與所述第二供電端電連接，所述第二MOS管的漏極與所述封裝基板的接地引腳電連接；所述第二切換電路包括第三MOS管與第四MOS管；所述第三MOS管與第四MOS管根據第二信號進行導通；所述第三MOS管的柵極與所述主控模塊電連接，所述第三MOS管的源極與所述供電模塊電連接，所述第三MOS管的漏極與所述第二供電端電連接；所述第四MOS管的柵極與所述主控模塊電連接，所述第四MOS管的源極與所述第一供電端電連接，所述第四MOS管的漏極與所述封裝基板的接地引腳電連接。

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