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龍圖騰網恭喜上海陛通半導體能源科技股份有限公司申請的專利使用TEOS薄膜進行間隙填充的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119800335B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510288051.7，技術領域涉及：C23C16/50；該發明授權使用TEOS薄膜進行間隙填充的方法是由苗春雨;周潔鵬;王曉芳設計研發完成，并于2025-03-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本使用TEOS薄膜進行間隙填充的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種使用TEOS薄膜進行間隙填充的方法，包括步驟S1：將具有待填充間隙的襯底置于PECVD沉積腔室中，將襯底加熱到預設溫度后，向沉積腔室內通入流量為0.4gmin~2.0gmin的TEOS和流量為500sccm~3000sccm的氧氣，使沉積腔室內維持預設的壓力，開啟高頻電源和低頻電源，經過預設的第一時長，于襯底表面沉積氧化硅薄膜；S2：將TEOS的流量調至小于0.4gmin，經預設的第二時長，使沉積腔室內的等離子體對襯底表面產生刻蝕效應；S3：向沉積腔室內繼續通入TEOS和氧氣，經過預設的第三時長，于襯底表面繼續沉積氧化硅薄膜。本發明可在有效避免間隙填充的空洞缺陷的同時，確保氧化硅薄膜的生長速度，有助于在提高生產良率的同時降低生產成本。且操作方便，對設備的損傷較小。

本發明授權使用TEOS薄膜進行間隙填充的方法在權利要求書中公布了：1.一種使用TEOS薄膜進行間隙填充的方法，其特征在于，包括步驟：S1：將具有待填充間隙的襯底置于PECVD沉積腔室中，將襯底加熱到預設溫度后，向沉積腔室內通入流量為0.4gmin~2.0gmin的TEOS和流量為500sccm~3000sccm的氧氣，使沉積腔室內維持預設的壓力，開啟高頻電源和低頻電源，經過預設的第一時長，于襯底表面沉積氧化硅薄膜；S2：將TEOS的流量調至小于0.4gmin，經預設的第二時長，使沉積腔室內的等離子體對襯底表面產生刻蝕效應；S3：向沉積腔室內繼續通入TEOS和氧氣，經過預設的第三時長，于襯底表面繼續沉積氧化硅薄膜；其中，第二時長＜第一時長＜第三時長，步驟S3中的TEOS和氧氣的流量均大于步驟S1中的流量。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海陛通半導體能源科技股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區慶達路315號13幢3F；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。