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龍圖騰網恭喜中北大學申請的專利抗反射型氧化鎂納米結構的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119800323B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510293140.0，技術領域涉及：C23C16/40；該發明授權抗反射型氧化鎂納米結構的制造方法是由李志強;雷程;梁庭;李博;李豐超;劉佳;賈平崗設計研發完成，并于2025-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本抗反射型氧化鎂納米結構的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種抗反射型氧化鎂納米結構的制造方法，包括以下步驟：將對應晶態的氧化鎂襯底進行清洗操作；待完成對所述氧化鎂襯底的清洗操作，在所述氧化鎂襯底上進行基于氧化硅的沉積操作，得到氧化硅層；對所述氧化硅層進行圖案化處理，得到位于所述氧化鎂襯底之上的氧化硅納米結構；在所述氧化鎂襯底上進行基于對應非晶態的氧化鎂的沉積操作，以形成覆蓋所述氧化硅納米結構以及所述氧化鎂襯底的氧化鎂層；對所述氧化鎂層進行刻蝕，以露出所述氧化硅納米結構；將所述氧化硅納米結構進行去除，以形成氧化鎂納米結構；對所述氧化鎂納米結構進行退火操作，以將對應非晶態的氧化鎂納米結構轉換為對應晶態的氧化鎂納米結構。

本發明授權抗反射型氧化鎂納米結構的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種抗反射型氧化鎂納米結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：將對應晶態的氧化鎂襯底進行清洗操作；待完成對所述氧化鎂襯底的清洗操作，在所述氧化鎂襯底上進行基于氧化硅的沉積操作，得到氧化硅層；對所述氧化硅層進行圖案化處理，得到位于所述氧化鎂襯底之上的氧化硅納米結構；在所述氧化鎂襯底上進行基于對應非晶態的氧化鎂的沉積操作，以形成覆蓋所述氧化硅納米結構以及所述氧化鎂襯底的氧化鎂層；利用IBE刻蝕工藝對所述氧化鎂層進行刻蝕，以露出所述氧化硅納米結構；將所述氧化硅納米結構進行去除，以形成氧化鎂納米結構；在真空環境下對所述氧化鎂納米結構進行維持預設退火時長的對應預設退火溫度的退火操作，以將對應非晶態的氧化鎂納米結構轉換為對應晶態的氧化鎂納米結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中北大學，其通訊地址為：030051 山西省太原市尖草坪區學院路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。