恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司李政獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體清洗液、制備方法與半導體結構的清洗方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119799432B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510294266.X,技術領域涉及:C11D7/32;該發明授權一種半導體清洗液、制備方法與半導體結構的清洗方法是由李政;楊昱霖;曹平設計研發完成,并于2025-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體清洗液、制備方法與半導體結構的清洗方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種半導體清洗液、制備方法與半導體結構的清洗方法,屬于半導體制造技術領域。所述清洗液至少包括:溶劑;活性組分;以及添加劑,所述添加劑的通式為;其中,R1、R2和R3各自為甲基、乙基或丙基中的一種;所述清洗液的耐低溫溫度為?10℃~?22℃。通過本發明提供的一種半導體清洗液、制備方法與半導體結構的清洗方法,能夠增強清洗效果,能夠在低溫條件下進行清洗,減少襯底或膜層的材料損失,避免材料損失對半導體制程的影響,提高半導體制程的良率。
本發明授權一種半導體清洗液、制備方法與半導體結構的清洗方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構的清洗方法,其特征在于,采用清洗液在-10℃~-22℃下對襯底或膜層進行清洗,其中,所述清洗液包括溶劑、活性組分和添加劑,所述溶劑為水,所述活性組分為氫氧化銨和雙氧水,所述添加劑為三甲基甘氨酸;所述氫氧化銨、所述雙氧水和所述水的質量比為1:2:10,所述添加劑在清洗液中的質量含量為5%~15%。
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