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龍圖騰網恭喜北京特思迪半導體設備有限公司申請的專利基于多光束的終點檢測方法及設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119820465B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510301660.1，技術領域涉及：B24B37/013；該發明授權基于多光束的終點檢測方法及設備是由周惠言;葛乃義;孟煒濤;寧婧竹;孫昕宇;黃銀國;蔣繼樂設計研發完成，并于2025-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于多光束的終點檢測方法及設備在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于多光束的終點檢測方法及設備。應用于半導體加工領域。該方法包括：利用晶圓磨削終點對應的目標晶圓薄膜厚度、晶圓薄膜的折射率、光束的入射角計算多光束中的任一入射光束的波長；至少利用波長和波長分別建立晶圓薄膜厚度與反射率的對應關系曲線，其中反射率隨厚度周期性變化，且波長所建立的對應關系曲線中目標晶圓薄膜厚度所對應的點處于曲線中的預定范圍內；將包含波長和波長的至少兩個光束照射至晶圓薄膜表面，并利用目標晶圓薄膜厚度所對應的反射率和對應關系曲線監測晶圓薄膜的厚度是否達到目標晶圓薄膜厚度。本發明提高終點檢測的靈敏度和測量的準確度。

本發明授權基于多光束的終點檢測方法及設備在權利要求書中公布了：1.一種基于多光束的終點檢測方法，其特征在于，包括：利用晶圓磨削終點對應的目標晶圓薄膜厚度、晶圓薄膜的折射率、光束的入射角計算多光束中的任一入射光束的波長；至少利用波長和波長分別建立晶圓薄膜厚度與反射率的對應關系曲線，其中反射率隨厚度周期性變化，且波長所建立的對應關系曲線中目標晶圓薄膜厚度所對應的點處于曲線中的預定范圍內，所述預定范圍是以曲線中梯度最大點為中間點向前、后延伸T1512的范圍，T1為波長的所述對應關系曲線的周期；在晶圓磨削過程中，將包含波長和波長的至少兩個光束照射至晶圓薄膜表面，并利用所述目標晶圓薄膜厚度所對應的反射率和所述對應關系曲線監測晶圓薄膜的厚度是否達到所述目標晶圓薄膜厚度；其中，確定多光束中的所述任一入射光束的波長包括：按照如下方式計算波長的取值范圍： ；其中，m∈[]，為初相位，對m取任意值并通過得到波長的取值范圍；在波長的取值范圍中任選一個值得到波長。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京特思迪半導體設備有限公司，其通訊地址為：101300 北京市順義區杜楊北街3號院6號樓(順創)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。