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龍圖騰網恭喜江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119855315B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510336466.7，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權一種發光二極管芯片及其制備方法是由李文濤;鄒燕玲;張存磊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2025-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，所述發光二極管芯片包括自下而上層疊設置的導電硅片、金屬鍵合層、N型導電金屬層、第一絕緣保護層、P型導電金屬層、P型反射金屬層、電流阻擋層、電流擴展層、外延層，P型導電金屬層的邊緣在電流擴展層上的投影位于隔離槽在電流擴展層上的投影內，且P型導電金屬層的邊緣在電流擴展層上的投影至隔離槽的邊緣在電流擴展層上的投影之間的距離與隔離槽的寬度的比例為13~23；通過電流擴展層上設置隔離槽和切割墻，P型導電金屬層的邊緣與隔離槽的距離比例關系，有助于控制電流在發光二極管芯片內的分布，避免電流過度集中，電流更均勻地擴展到外延層，提高了發光二極管芯片的整體發光效率和穩定性。

本發明授權一種發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管芯片，其特征在于：包括自下而上層疊設置的導電硅片、金屬鍵合層、N型導電金屬層、第一絕緣保護層、P型導電金屬層、P型反射金屬層、電流阻擋層、電流擴展層和外延層；所述電流擴展層上相對的兩側均設置隔離槽和切割墻，沿水平方向所述隔離槽位于所述外延層和所述切割墻之間，所述P型導電金屬層的邊緣在所述電流擴展層上的投影位于所述隔離槽在所述電流擴展層上的投影內，且所述P型導電金屬層的邊緣在所述電流擴展層上的投影與所述隔離槽的邊緣在所述電流擴展層上的投影之間的距離與所述隔離槽的寬度的比例為13~23，所述外延層及所述切割墻的表面設置第二絕緣保護層；所述P型導電金屬層上設置P型焊盤層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。