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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利芯片的封裝結構和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119920771B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510372581.X，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權芯片的封裝結構和半導體器件是由王亮;唐新靈;代安琪;林仲康;韓榮剛;李玲;田延忠;郝煒設計研發完成，并于2025-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片的封裝結構和半導體器件在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，公開了一種芯片的封裝結構和半導體器件；該芯片的封裝結構包括陰極電極和動態均壓模塊；陰極電極疊放于芯片上，陰極電極分割成多個壓力補償區域；動態均壓模塊設于陰極電極背離芯片的一側并具有封閉空腔，封閉空腔內填充有彈性緩沖物質，封閉空腔內設有與多個壓力補償區域均電連接的多個動態插入電極，動態均壓模塊的外端部與外部管殼陰極密封電連接。當采用本申請的技術方案在對芯片與管殼進行封裝時，通過在陰極電極上設置具有封閉空腔的動態均壓模塊，能夠利用封閉空腔內部的緩沖物質來實現對于芯片封裝過程中的壓力補償，進行動態的壓力調節，均勻了金屬電極之間的壓力。

本發明授權芯片的封裝結構和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種芯片的封裝結構，其特征在于，所述芯片的封裝結構包括：陰極電極（101），疊放于所述芯片（100）上并與所述芯片（100）電連接，所述陰極電極（101）分割成多個壓力補償區域（1011）；動態均壓模塊（200），設于所述陰極電極（101）背離所述芯片（100）的一側并具有封閉空腔（23），所述封閉空腔（23）內填充有彈性緩沖物質，所述封閉空腔（23）內設有與多個所述壓力補償區域（1011）均一一對應電連接的多個動態插入電極（24），所述動態均壓模塊（200）的外端部與外部管殼陰極（102）密封連接；所述動態均壓模塊（200）包括：導電墊片（22），位于所述設于所述陰極電極（101）背離所述芯片（100）的一側，所述導電墊片（22）背離所述芯片（100）的一側敞口設置，所述動態插入電極（24）通過所述導電墊片（22）與所述壓力補償區域（1011）電連接；金屬板（21），封蓋于所述敞口處，所述金屬板（21）和所述導電墊片（22）配合形成所述封閉空腔（23），所述金屬板（21）背離所述封閉空腔（23）的一側表面與外部散熱器接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101499 北京市懷柔區楊雁東一路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。