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龍圖騰網恭喜英特爾公司申請的專利具有成分和尺寸截然不同的溝道區和亞溝道區的晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111052348B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094332.2，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權具有成分和尺寸截然不同的溝道區和亞溝道區的晶體管是由K·賈姆布納坦;G·A·格拉斯;A·S·默西;J·S·康;B·E·貝蒂;A·波旺德;B·古哈;J·H·南;T·加尼設計研發完成，并于2017-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有成分和尺寸截然不同的溝道區和亞溝道區的晶體管在說明書摘要公布了：集成電路包括具有上部溝道區和下部亞溝道區的鰭，下部區域具有第一化學成分以及與絕緣體材料相鄰的相對側壁，上部區域具有第二化學成分。第一寬度指示在第一位置上的下部區域的相對側壁之間的距離，其比指示在第二位置上的上部區域的相對側壁之間的距離的第二寬度寬至少1nm，第一位置在第二位置的10nm以內或者以其他方式相互靠近。第一化學成分與第二化學成分截然不同，并且包括位于下部區域的相對側壁的外表面處的表面化學成分以及位于其間的體塊化學成分，所述表面化學成分包括氧、氮、碳、氯、氟和硫中的一者或多者。

本發明授權具有成分和尺寸截然不同的溝道區和亞溝道區的晶體管在權利要求書中公布了：1.一種包括至少一個晶體管的集成電路IC，所述集成電路包括：包括柵電極和柵極電介質的柵極結構，所述柵電極包括金屬材料；以及鄰近所述柵電極的鰭，所述柵極電介質位于所述柵電極和所述鰭之間，所述鰭具有包括鍺的上部區域以及包括鍺的下部區域，所述下部區域具有與絕緣體材料構成的區域相鄰并接觸的相對側壁以及位于所述下部區域相對側壁之間的體塊區域，并且所述上部區域具有與所述柵極電介質直接相鄰并接觸的相對側壁，下部區域相對側壁每者具有第一化學成分，并且上部區域相對側壁每者具有不同于所述第一化學成分的第二化學成分，所述第一化學成分從所述下部區域相對側壁的每者的外表面在其間延伸達0.5到10nm的距離，并且所述第一化學成分包括氧、氮、碳、氯、氟或硫中的一者或多者；其中，在第一位置處所述下部區域相對側壁之間的第一寬度比在第二位置處所述上部區域相對側壁之間的第二寬度寬至少1納米nm，所述第一位置與所述第二位置在垂直方向上相距10nm以內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。