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龍圖騰網恭喜南昌凱迅光電股份有限公司申請的專利一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109545896B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811417502.9，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法是由萬智;徐培強;林曉珊;張銀橋;汪洋;王向武設計研發完成，并于2018-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法，由于頂電池和中電池與襯底Ge晶格不匹配，需要一定厚度組分漸變的緩沖層來消除失配引起的應力。本發明公開了一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法，它是將中電池基區層組分遞變，即：本發明將空間GaInPInGaAsGe失配電池的中電池的p?GaInAs基區層分為五個組分遞變的遞變層，遞變層之間沉積組分緩變的過渡層。與常規GaInPInGaAsGe失配電池相比，消除了常規失配電池較厚的緩沖層，從而達到減少成本的目的。通過優化緩沖層生長速率、厚度和ⅤⅢ比來減少位錯，降低因組分變化產生的復合，以達到常規失配結構的光電轉化效率。

本發明授權一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基區組分遞變的空間失配電池外延片的制備方法，其特征在于：新結構中未生長常規失配電池結構中的緩沖層，在中電池基區中沉積組分遞變的GaInAs層，遞變層之間生長組分緩變的過渡層，具體步驟如下：提供一p-Ge襯底，運用AXITRON公司的金屬有機化合物化學氣相沉淀設備，在p-Ge襯底上依次沉積n-AlGaInP成核層，n-GaAs-GaInAs緩沖層，n++-GaAsp++-GaAs隧穿結層，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射層，p-GaInP背場層，p-GaInAs基區層，n-GaInAs發射區層，n-AlInP窗口層，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿結層，p-AlGaInP背場層，p-GaInP基區層，n-GaInP發射區層，n-AlInP窗口層和n+-GaAs歐姆接觸層；在GaInP背場層上以650℃溫度沉積p-GaInAs基區層，p-GaInAs基區層共九層，總沉積厚度為2.5μm；其中五層遞變層每層0.3μm，In組分依次為Ga0.985In0.015As、Ga0.98In0.02As、Ga0.975In0.025As、Ga0.97In0.03As、Ga0.965In0.035As，摻雜DEZn源、摻雜濃度為2～8×1016cm-3；遞變層之間生長過渡層，每層過渡層沉積厚度0.25μm，摻雜濃度都為2～8×1016cm-3；通過流量計控制In流量的線性漸變使得過渡層組分由下一層遞變層緩變到上一層遞變層的組分，生長速率1μmh，摻雜DEZn源、摻雜濃度都為2～8×1016cm-3。

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