恭喜長鑫存儲技術有限公司吳秉桓獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利晶圓及其制作方法、半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112151439B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910579219.4，技術領域涉及：H01L21/764；該發明授權晶圓及其制作方法、半導體器件是由吳秉桓設計研發完成，并于2019-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶圓及其制作方法、半導體器件在說明書摘要公布了：本公開是關于一種晶圓及其制作方法、半導體器件，所述晶圓制作方法包括：提供晶圓本體，所述晶圓本體上設置有用于切割的切割道；在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，所述硅通孔內填充有保護材料。通過在切割道兩側設置填充有保護材料的止裂硅通孔，在進行晶圓切割時，防止切割應力對晶粒區造成破壞，通過止裂硅通孔能夠有效地減小切割道的寬度，有利于切割道的微縮，提高晶圓的有效利用率。
本發明授權晶圓及其制作方法、半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種晶圓制作方法，其特征在于，所述晶圓制作方法包括：提供堆疊設置的第一晶圓本體和第二晶圓本體，堆疊后的所述第一晶圓本體和所述第二晶圓本體表面上設置有用于切割的切割道；在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，所述硅通孔內填充有保護材料，其中，在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，包括：沿所述切割道的側部在所述第一晶圓本體中形成第一止裂硅通孔，所述第一止裂硅通孔暴露出所述第二晶圓本體；在所述第一止裂硅通孔內填充保護材料；沿所述切割道的側部在所述第二晶圓本體上與所述第一止裂硅通孔對應的位置中形成第二止裂硅通孔，所述第二止裂硅通孔暴露出所述第一止裂硅通孔；在所述第二止裂硅通孔內填充所述保護材料；所述第一止裂硅通孔和所述第二止裂硅通孔組成所述止裂硅通孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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