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龍圖騰網(wǎng)恭喜江蘇東晨電子科技有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利微型超低電容固體放電管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110783399B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201911157310.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D18/01；該發(fā)明授權(quán)微型超低電容固體放電管及其制備方法是由陳俊標(biāo);蘇亮;沈一舟設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-11-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本微型超低電容固體放電管及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種微型超低電容固體放電管及其制備方法，該固體放電管的上面設(shè)有硼基區(qū)P，該硼基區(qū)P單側(cè)設(shè)置有部分交疊的磷擴(kuò)散埋層N?，在所述硼基區(qū)P內(nèi)布置有第一磷擴(kuò)散區(qū)N+，在所述第一磷擴(kuò)散區(qū)N+內(nèi)布置有若干個(gè)短路孔形成元胞式陰極；在所述固體放電管的下面布置有一個(gè)硼區(qū)P和一個(gè)第二磷擴(kuò)散區(qū)N+，前述硼區(qū)P和第二磷擴(kuò)散區(qū)N+間隔設(shè)置，形成單向芯片陽(yáng)極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在原低電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，在陰極增加了N?埋層，使每個(gè)元胞陰極的熱沉增長(zhǎng)，從而在相同芯片面積的基礎(chǔ)上增加通流能力。下面采用硼區(qū)和第二磷擴(kuò)散區(qū)N+對(duì)稱(chēng)式布局，消除了單項(xiàng)放電管的反向壓降，基于該設(shè)計(jì)，原芯片面積可進(jìn)行縮減，進(jìn)而減小PN結(jié)面積，大幅度降低結(jié)電容。

本發(fā)明授權(quán)微型超低電容固體放電管及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種微型超低電容固體放電管的制備方法，該固體放電管的上面具有硼基區(qū)P（1），硼基區(qū)P（1）的單側(cè)設(shè)置有部分交疊的磷擴(kuò)散埋層N-（2），在所述硼基區(qū)P（1）內(nèi)布置有第一磷擴(kuò)散區(qū)N+（3），在所述第一磷擴(kuò)散區(qū)N+（3）內(nèi)布置有若干個(gè)短路孔（4）形成元胞式陰極；在所述固體放電管的下面布置有一個(gè)硼區(qū)P（5）和一個(gè)第二磷擴(kuò)散區(qū)N+（6），前述硼區(qū)P（5）和第二磷擴(kuò)散區(qū)N+（6）間隔設(shè)置，形成單向芯片陽(yáng)極結(jié)構(gòu)；該固體放電管的芯片面積為0.5mm*0.5mm—0.6mm*0.6mm，結(jié)電容小于6pF；磷擴(kuò)散埋層N-（2）的埋層結(jié)深為40um-45um；其特征是該制備方法包括以下步驟：S1、在硼基區(qū)P（1）制備之前預(yù)先布置與該硼基區(qū)P（1）單側(cè)部分交疊的磷擴(kuò)散埋層N-（2），所述磷擴(kuò)散埋層N-（2）的深度大于所述硼基區(qū)P（1）的深度；S2、制備硼基區(qū)P（1）和硼區(qū)P（5），前述硼區(qū)P（5）設(shè)置于固體放電管的下面；S3、在硼基區(qū)P（1）內(nèi)布置第一磷擴(kuò)散區(qū)N+（3），并且在所述第一磷擴(kuò)散區(qū)N+（3）內(nèi)布置若干個(gè)短路孔（4）形成元胞式陰極；S4、在固體放電管的下面布置第二磷擴(kuò)散區(qū)N+（6），前述第二磷擴(kuò)散區(qū)N+（6）與前述硼區(qū)P（5）間隔設(shè)置，構(gòu)成固體放電管。

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