恭喜華為技術有限公司赫然獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利一種半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114981962B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080093552.5，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權一種半導體結構及其制造方法是由赫然;何志宏設計研發完成，并于2020-04-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體器件及其制造方法，半導體器件可以包括第一晶圓300、第二晶圓400和接觸塞360，第一晶圓300中可以包括第一介質層320，第一介質層320中具有第一連接盤330，第二晶圓400和第一晶圓300鍵合，第二晶圓400包括第二介質層420，第二介質層420中具有第二連接盤430，接觸塞360為填充于垂直通孔中的導電材料，用于電連接第一連接盤330和第二連接盤430，其中垂直通孔為通過刻蝕形成的貫穿第一晶圓300且部分貫穿第二晶圓400至第二連接盤430的上表面和或側壁的通孔，第一連接盤330位于垂直通孔中且位于第一連接盤330之下的第一介質層320未被刻蝕，接觸塞360可以從第一連接盤330的周圍與第二連接盤430接觸，從而利用簡單的工藝實現接觸塞360與第二連接盤430的可靠連接。
本發明授權一種半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：第一晶圓、第二晶圓和接觸塞；所述第一晶圓包括第一介質層，所述第一介質層中具有第一連接盤；所述第二晶圓與所述第一晶圓鍵合，所述第二晶圓包括第二介質層，所述第二介質層中具有第二連接盤；所述接觸塞為填充于垂直通孔中的導電材料，用于電連接所述第一連接盤和所述第二連接盤；所述垂直通孔為通過刻蝕形成的貫穿所述第一晶圓且部分貫穿所述第二晶圓至所述第二連接盤的上表面和或側壁的通孔，所述第一連接盤位于所述垂直通孔中且位于所述第一連接盤之下的第一介質層未被刻蝕，所述第一連接盤兩側或三側的側壁與所述接觸塞接觸。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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