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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112420701B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010645903.0，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體器件及其形成方法是由于殿圣;崔壬汾;廖忠志;傅英哲設計研發完成，并于2020-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：在方法的一些實施例中，圖案化開口包括：將輻射束投影到第二介電層，輻射束具有開口的圖案。在方法的一些實施例中，單一圖案化光刻工藝是極紫外EUV光刻工藝。在方法的一些實施例中，利用導電材料填充開口包括：將導電材料鍍在開口中；以及平坦化導電材料和第二介電層以由導電材料的剩余部分形成第一金屬線，在平坦化之后，第一金屬線和第二介電層的頂表面是平坦的。本發明的實施例還涉及半導體器件及其形成方法。

本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：襯底，具有第一p型阱區、第二p型阱區和設置在所述第一p型阱區和所述第二p型阱區之間的n型阱區；第一上拉晶體管，位于所述n型阱區中，所述第一上拉晶體管包括第一源極漏極區；第二上拉晶體管，位于所述n型阱區中，所述第二上拉晶體管包括第二源極漏極區；以及第一導電部件，電連接至電源電壓節點，所述第一導電部件具有主部分、從所述主部分的第一側延伸的第一焊盤部分、和從所述主部分的第二側延伸的第二焊盤部分，所述第一焊盤部分位于所述第一上拉晶體管的所述第一源極漏極區上方并且電連接至所述第一上拉晶體管的所述第一源極漏極區，所述第二焊盤部分位于所述第二上拉晶體管的所述第二源極漏極區上方并且電連接至所述第二上拉晶體管的所述第二源極漏極區，所述第一焊盤部分和所述第二焊盤部分中的每一個均具有第一寬度，所述主部分具有第二寬度，所述第一寬度小于所述第二寬度；第一通孔，物理接觸所述主部分和所述第一焊盤部分且完全著陸于所述第一導電部件內，并且將所述第一導電部件電連接至所述第一源極漏極區，所述第一通孔具有第三寬度，其中，所述第三寬度大于所述第一寬度和所述第二寬度。

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