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龍圖騰網(wǎng)恭喜華邦電子股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114464624B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011247224.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的形成方法是由周信宏;林宗瑋;蔡高財(cái)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的形成方法，包含依序形成主動(dòng)層、硬遮罩層、以及核心層于基底之上、以及刻蝕核心層以形成核心圖案。核心圖案包含第一長(zhǎng)條、第二長(zhǎng)條、以及抵接第一長(zhǎng)條和第二長(zhǎng)條的多個(gè)支撐部件。此方法還包含形成間隔物層于核心圖案旁邊、移除核心圖案、形成光阻圖案于間隔物層上方、使用光阻圖案和間隔物層，刻蝕硬遮罩層以形成硬遮罩圖案、以及將硬遮罩圖案轉(zhuǎn)移至主動(dòng)層以形成柵極堆迭。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：依序形成一主動(dòng)層、一硬遮罩層、以及一核心層于一基底之上；刻蝕該核心層以形成一核心圖案，其中該核心圖案包括一第一長(zhǎng)條、一第二長(zhǎng)條、以及抵接該第一長(zhǎng)條和該第二長(zhǎng)條的多個(gè)支撐部件；形成一間隔物層于該核心圖案旁邊；移除該核心圖案；形成一光阻圖案于該間隔物層上方；使用該光阻圖案和該間隔物層，刻蝕該硬遮罩層以形成一硬遮罩圖案；以及將該硬遮罩圖案轉(zhuǎn)移至該主動(dòng)層以形成一柵極堆迭，其中形成該間隔物層的步驟包括：形成一順應(yīng)層沿著該核心圖案且填充該第一長(zhǎng)條、該第二長(zhǎng)條與該支撐部件界定出的多個(gè)開口；以及刻蝕該順應(yīng)層，其中該間隔物層包括：一第一間隔物，形成于該第一長(zhǎng)條的一第一側(cè)；一第二間隔物，形成于該第二長(zhǎng)條的一第二側(cè)；以及多個(gè)第三間隔物，填充所述多個(gè)開口。

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