恭喜江蘇第三代半導體研究院有限公司畢文剛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜江蘇第三代半導體研究院有限公司申請的專利一種微型發光二極管垂直芯片結構、其制備方法及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112599554B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011578888.9，技術領域涉及：H10H29/14；該發明授權一種微型發光二極管垂直芯片結構、其制備方法及應用是由畢文剛;王國斌;徐科設計研發完成，并于2020-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種微型發光二極管垂直芯片結構、其制備方法及應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種微型發光二極管micro?LED垂直芯片結構、其制備方法及應用。所述垂直芯片結構包括外延結構，所述外延結構包括沿設定方向依次設置的第一半導體層、有源區和第二半導體層；所述第一、第二半導體層分別與第一、第二電極配合，所述第一電極分布于第一半導體層周圍且與第一半導體層的側壁形成電性接觸。本發明的micro?LED垂直芯片結構通過采用側壁電極結構，可以避免因電極設置在出光面上而對LED芯片所發光的吸收，增加器件發光效率，同時還可以起到光反射的作用，從而進一步提高器件的光提取效率和亮度，并且還可以減少各芯片之間的光串擾，避免色坐標偏移，提高顯示色純度，以及，還可以使芯片尺寸得以進一步縮小，提高顯示分辨率。
本發明授權一種微型發光二極管垂直芯片結構、其制備方法及應用在權利要求書中公布了：1.一種微型發光二極管垂直芯片結構，包括外延結構，所述外延結構包括沿設定方向依次設置的第一半導體層、有源區和第二半導體層，所述第一半導體層、第二半導體層分別與第一電極、第二電極配合，所述第一半導體層的表面為出光面，其特征在于：所述第一電極設置在所述有源區上，所述第一電極環繞第一半導體層設置形成光學擋墻結構，并與第一半導體層的側壁形成電性接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇第三代半導體研究院有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城中北區23幢214室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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