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龍圖騰網恭喜廣州計量檢測技術研究院申請的專利一種多芯光纖干涉校準標樣及校準多芯干涉儀的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112815831B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110188806.8，技術領域涉及：G01B9/02055；該發明授權一種多芯光纖干涉校準標樣及校準多芯干涉儀的方法是由古耀達;呂雅琪;鄺俊杰;楊昭信;魏純;嚴杰文;馬婷婷;譚夢蕾;勞超鳴;鐘賴;黃鋒設計研發完成，并于2021-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多芯光纖干涉校準標樣及校準多芯干涉儀的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多芯光纖干涉校準標樣及校準多芯干涉儀的方法，包括座體和基套；所述座體安裝在基套上；所述座體包括光纖套筒和光纖；光纖套筒包裹在光纖的外側面上；所述基套的上表面為測試表面，測試表面至少包括兩芯以上的光纖特征面，光纖特征面具有多芯光纖臺階；所述光纖特征面的單個光纖頂部與纖芯擬合面的距離為對應纖芯下陷；所述光纖特征面單個光纖頂部與光纖套筒上端擬合面的距離為對應標注光纖高度。本發明提供的多芯光纖干涉校準標樣能擴充標樣范圍和減少不同材料特性等引入測量不確定影響量，提高校準精度、有利于多芯光纖干涉儀多量值測量校準及功能擴展，結構緊湊、體積小、多量值，便于歸一存放。

本發明授權一種多芯光纖干涉校準標樣及校準多芯干涉儀的方法在權利要求書中公布了：1.一種多芯光纖干涉校準標樣校準多芯干涉儀的方法，其特征在于，包括座體10和基套20；所述座體10安裝在基套20上；所述座體10包括光纖套筒11和光纖12；光纖套筒11包裹在光纖12的外側面上；所述基套20的上表面為測試表面，測試表面至少包括兩芯以上的光纖特征面，光纖特征面具有多芯光纖臺階18；所述光纖特征面的單個光纖頂部與纖芯擬合面的距離為對應標準纖芯下陷15；所述光纖特征面單個光纖頂部與光纖套筒11上端擬合面的距離為對應標準光纖高度14；所述多芯光纖臺階18的高度為標準光纖高度14，光纖特征面的各個光纖均有對應標準光纖下陷，各陣列光纖平面的相互錯開，并形成標準光纖高度差；所述基套20上設有標識21，所述標識21與光纖12的方向相對應，方便對形狀擬合后標識截面數據的提取，用以獲取標準高度和標準纖芯下陷指標；所述測試表面13包括第一級光纖面、第二級光纖面，第一級光纖面和第二級光纖面分別為擬合面；第一級光纖面為光纖端面131，第二級光纖面為套筒端面132，呈圓形的第一級光纖面、第二級光纖面，方便干涉儀條紋的收集；在二維校準時，通過接觸掃描多芯光纖干涉校準標樣表面形貌以獲取標準光纖高度和標準纖芯下陷指標；在三維模式下，通過同時掃描光纖端面131和套筒端面132獲得三維形貌后，再去除光纖端面131及粘合表面161形狀，以獲取標準光纖高度和標準纖芯下陷指標；多芯光纖表面的標準光纖高度覆蓋0至10微米，光纖纖芯面的下陷標準值覆蓋0至1微米；所述座體10還包括粘合區域16，該粘合區域16的上端面為粘合表面161；所述光纖套筒11通過粘合區域16包裹粘合在光纖12的外側面上；在二維校準時，通過接觸掃描多芯光纖干涉校準標樣表面形貌獲取標準光纖高度和標準纖芯下陷指標；在三維模式下，通過同時掃描光纖端面131和套筒端面132獲得三維形貌后，再去除光纖表面131及粘合表面161形狀，獲取標準光纖高度和標準纖芯下陷指標；所述光纖套筒11由環氧樹脂或硅制成；所述光纖12由二氧化硅或硅制成；多芯光纖干涉校準標樣校準多芯干涉儀的方法包括：放入多芯光纖干涉校準標樣，光束通過分光在測試表面上調整控制精密位移器，形成顯微表面光學精密干涉，多芯干涉條紋通過探測傳感器收集；通過條紋背景光強分布運算微表面干涉條紋逐點相位差與多芯光纖各特征面高度差進行逐一映射，處理后得到融合圖像并通過微觀三維重構測量法與標準量值對比校準；通過條紋背景光強分布運算干涉條紋相位差與多芯光纖各特征面纖芯下陷進行逐一映射，處理后得到融合圖像并通過微觀三維重構測量法與標準下陷量值對比校準；通過條紋背景光強分布運算微表面干涉條紋逐點相位差與多芯光纖各特征面的高度差進行逐一映射，處理后得到融合圖像并通過微觀三維重構測量法與多芯各陣列光纖高度差與標準光纖高度差量值對比校準，記錄并分析，取出標樣，完成多芯光纖干涉儀校準。

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