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龍圖騰網恭喜鎮江漢邦科技有限公司申請的專利一種間歇交錯式放電的正負離子發生器及其使用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113410763B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110491039.8，技術領域涉及：H01T23/00；該發明授權一種間歇交錯式放電的正負離子發生器及其使用方法是由于鎖平;潘銀漢設計研發完成，并于2021-05-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種間歇交錯式放電的正負離子發生器及其使用方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種間歇交錯式放電的正負離子發生器，包括：輸入電源、電源管理模塊、正離子發生模塊、負離子發生模塊、正高壓輸出端、負高壓輸出端、通斷控制模塊、兩個開關模塊；通斷控制模塊分別與電源管理模塊、兩個開關模塊連接；開關模塊接入到電源管理模塊與離子發生模塊之間的電路中；開關模塊接入離子發生模塊的輸出端處；開關模塊接入高壓輸出端的輸入端處，開關模塊基于通斷控制模塊的通斷信號控制所處電路的通斷。本發明還可根據殺菌功能和負離子空氣凈化的功能需要不同，可自由調節正離子和負離子的發射時間，達到最好的殺菌效果。

本發明授權一種間歇交錯式放電的正負離子發生器及其使用方法在權利要求書中公布了：1.一種間歇交錯式放電的正負離子發生器，其特征在于，包括：輸入電源、電源管理模塊、正離子發生模塊、負離子發生模塊、正高壓輸出端、負高壓輸出端、通斷控制模塊、兩個開關模塊；所述輸入電源與所述電源管理模塊的輸入端連接；所述電源管理模塊的輸出端分別與所述正離子發生模塊的輸入端、負離子發生模塊的輸入端連接；所述正離子發生模塊的輸出端與所述正高壓輸出端的輸入端連接；所述負離子發生模塊的輸出端與所述負高壓輸出端的輸入端連接；所述通斷控制模塊分別與電源管理模塊、兩個所述開關模塊連接；一個所述開關模塊接入到所述電源管理模塊與所述正離子發生模塊之間的電路中，另一所述開關模塊接入到所述電源管理模塊與所述負離子發生模塊之間的電路中，或一個所述開關模塊接入所述正離子發生模塊的輸出端處，另一所述開關模塊接入所述負離子發生模塊的輸出端處，或一個所述開關模塊接入所述正高壓輸出端的輸入端處，另一所述開關模塊接入所述負高壓輸出端的輸入端處；所述開關模塊基于所述通斷控制模塊的通斷信號控制所處電路的通斷，所述開關模塊為場效應管，場效應管的漏極接入電路，柵極與所述通斷控制模塊連接，源極接地；所述通斷控制模塊包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、反相器芯片；所述電源管理模塊的輸出端分別與所述第一電阻的一端、第二電阻的一端連接；所述第一電阻的另一端分別與所述反相器芯片中第四反相器的輸入端、第一電容的一端、第二二極管的陽極連接；所述第二電阻的另一端分別與所述第三二極管的陰極、反相器芯片中第四反相器的輸出端、反相器芯片中第五反相器的輸出端、第一電容的另一端、第二電容的一端、第二二極管的陰極、第一二極管的陰極連接；所述第二電容的另一端分別與所述第三電阻的一端、第四電阻的一端連接；所述第三電阻的另一端分別與所述反相器芯片中第五反相器的輸入端、反相器芯片中第六反相器的輸出端連接；所述第四電阻的另一端與所述反相器芯片中第六反相器的輸入端連接；所述反相器芯片中第三反相器的輸出端分別與第八電阻的一端、第十電阻的一端連接；所述第八電阻的另一端分別與所述第三二極管的陽極、第九電阻的一端、一個場效應管的柵極連接；所述第十電阻的另一端分別與所述第一二極管的陽極、第十一電阻的一端、另一場效應管的柵極連接；所述反相器芯片中第三反相器的輸入端分別與所述第五電阻的一端、第三電容的一端連接；所述反相器芯片中第二反相器的輸出端分別與所述第三電容的另一端、第四電容的一端連接；所述反相器芯片中第二反相器的輸入端分別與所述反相器芯片中第一反相器的輸出端、第六電阻的一端連接；所述反相器芯片中第一反相器的輸入端與所述第七電阻的一端連接；所述第四電容的另一端分別與所述第六電阻的另一端、第七電阻的另一端連接；所述第五電阻的另一端、第九電阻的另一端、第十一電阻的另一端接地；或所述通斷控制模塊包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻、第十六電阻、第十七電阻、第一電容、第二電容、第一電解電容、第一三極管、第二三極管、第三三極管、MCU芯片、穩壓芯片；所述電源管理模塊的輸出端分別與所述第一電阻的一端、第一三極管的集電極連接；所述第一電阻的另一端分別與所述第一三極管的基極、第一電容的一端、穩壓芯片的陽極連接；所述第一三極管的發射極分別與所述第二電阻的一端、第六電阻的一端、MCU芯片的VCC腳、第二電容的一端、第一電解電容的正極連接；所述第二電阻的另一端分別與所述第三電阻的一端、穩壓芯片的參考極連接；所述第六電阻的另一端與所述MCU芯片的INT腳連接；所述第一電容的另一端、第二電容的另一端、電解電容的負極、第三電阻的另一端、穩壓芯片的陰極接地；所述MCU芯片的PA腳與所述第四電阻的一端連接，PB腳與所述第七電阻的一端連接，TX腳與所述第十二電阻的一端連接，RX腳與所述第十三電阻的一端連接；所述第四電阻另一端分別與所述第十一電阻的一端、第二三極管的基極、第五電阻的一端連接；所述第二三極管的集電極分別與所述第八電阻的一端、第九電阻的一端連接；所述第九電阻的另一端分別與一個場效應管的柵極、第十電阻的一端連接；所述第十一電阻的另一端、第八電阻的另一端與所述電源管理模塊連接；所述第五電阻的另一端、第二三極管的發射極、第十電阻的另一端接地；所述第七電阻另一端分別與所述第十四電阻的一端、第二三極管的基極、第十五電阻的一端連接；所述第二三極管的集電極分別與第十八電阻的一端、第十六電阻的一端連接；所述第十六電阻的另一端分別與另一場效應管的柵極、第十七電阻的一端連接；所述第十四電阻的另一端、第十八電阻的另一端與所述電源管理模塊連接；所述第十五電阻的另一端、第二三極管的發射極、第十七電阻的另一端接地；第十二電阻、第十三電阻的另一端接地，其中，將正負離子發生器放置在待凈化空間，當正負離子發生器開始工作時，通斷控制模塊控制接在產生正離子電路中的開關模塊導通大于0S小于等于120S，控制接在產生負離子電路中的開關模塊導通大于0S小于等于120S，正負離子發生器間歇的產生正、負離子。

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