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龍圖騰網恭喜株式會社國際電氣申請的專利半導體器件的制造方法、襯底處理方法、襯底處理裝置及記錄介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256059B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110945727.7，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權半導體器件的制造方法、襯底處理方法、襯底處理裝置及記錄介質是由清水富介;永戶雅也;尾崎貴志;橋本良知;原田勝吉設計研發完成，并于2021-08-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件的制造方法、襯底處理方法、襯底處理裝置及記錄介質在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理方法、襯底處理裝置及記錄介質，其使在襯底上形成的氧化膜的特性提高。交替地進行形成包含原子X的第1氧化膜的工序，其非同時地進行下述工序：形成包含第1官能團鍵合在原子X上的成分的第1層的工序，和使第1層氧化而形成包含原子X及氧的第2層的工序；和形成包含原子X的第2氧化膜的工序，其非同時地進行下述工序：形成包含第1官能團鍵合在原子X上的成分的第3層的工序，和在成為氧化力比使第1層氧化時的氧化力高的處理條件下，形成使第3層氧化而包含原子X及氧的第4層的工序。

本發明授權半導體器件的制造方法、襯底處理方法、襯底處理裝置及記錄介質在權利要求書中公布了：1.襯底處理方法，其具有進行下述a和b從而在襯底上形成第1氧化膜與第2氧化膜層疊而成的氧化膜的工序：a通過將包含下述a1和a2的循環進行n1次從而形成包含原子X的所述第1氧化膜的工序：a1對所述襯底供給具有在所述原子X上直接鍵合有第1官能團和第2官能團的部分結構、且所述第1官能團與所述原子X的鍵能比所述第2官能團與所述原子X的鍵能高的原料，形成包含在所述原子X上鍵合有所述第1官能團的成分的第1層的工序，其中，所述第1官能團包含烷氧基，所述第2官能團包含氨基、烷基、鹵代基、羥基、氫基、芳基、乙烯基及硝基中的至少任一者；和a2對所述襯底供給第1氧化劑，使所述第1層氧化，形成包含所述原子X及氧的第2層的工序；和b通過將包含下述b1和b2的循環進行n2次從而形成包含所述原子X的所述第2氧化膜的工序：b1對所述襯底供給所述原料，形成包含在所述原子X上鍵合有所述第1官能團的成分的第3層的工序；和b2在氧化力變得比a2中使所述第1層氧化時的氧化力高的處理條件下對所述襯底供給第2氧化劑，使所述第3層氧化，形成包含所述原子X及氧的第4層的工序，其中，所述n1為1以上的整數，所述n2為1以上的整數。

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