恭喜長鑫存儲技術有限公司郭帥獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116133391B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111044659.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其制備方法是由郭帥設計研發完成，并于2021-09-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體結構及其制備方法。所述半導體結構的制備方法包括：提供襯底，襯底上形成有淺溝槽隔離結構；在有源區內形成多個晶體管容置槽，晶體管容置槽與淺溝槽隔離結構之間具有間隔；在晶體管容置槽內形成柱狀結構，柱狀結構包括沿遠離襯底的方向依次設置的源極、導電溝道和漏極；刻蝕去除位于前述間隔內的有源區及位于同一有源區內的相鄰柱狀結構之間的有源區，以形成位線溝槽，位線溝槽環繞源極；在位線溝槽內形成環繞接觸源極的位線。所述制備方法能夠減小晶體管與位線之間、以及晶體管與字線之間的接觸電阻，從而提升半導體結構的電學性能。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上形成有淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構在所述襯底內隔離出多個間隔排布的有源區；在所述有源區內形成多個晶體管容置槽，所述晶體管容置槽與所述淺溝槽隔離結構之間具有間隔；在所述晶體管容置槽內形成柱狀結構，所述柱狀結構包括沿遠離所述襯底的方向依次設置的源極、導電溝道和漏極；刻蝕去除位于所述間隔內的所述有源區及位于同一所述有源區內的相鄰所述柱狀結構之間的所述有源區，以形成位線溝槽，所述位線溝槽環繞所述源極；在所述位線溝槽內形成環繞接觸所述源極的位線。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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