恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司季汝敏獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利反熔絲存儲版圖及其電路、反熔絲存儲器及其設(shè)計方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN116343843B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111590314.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C5/02;該發(fā)明授權(quán)反熔絲存儲版圖及其電路、反熔絲存儲器及其設(shè)計方法是由季汝敏設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-12-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本反熔絲存儲版圖及其電路、反熔絲存儲器及其設(shè)計方法在說明書摘要公布了:本公開實施例提供一種反熔絲存儲版圖及其電路、反熔絲存儲器及其設(shè)計方法,反熔絲存儲版圖包括:有源區(qū),沿第一方向延伸且沿第二方向分立排布,每一有源區(qū)包括沿第一方向排布的至少兩個存儲單元區(qū),每一存儲單元區(qū)包括沿第一方向排布的反熔絲區(qū)和控制區(qū),在沿第一方向上,相鄰存儲單元區(qū)的控制區(qū)相鄰接;字線區(qū),沿第二方向延伸且與控制區(qū)相交;電連接區(qū),沿第二方向延伸且與反熔絲區(qū)相交;編程控制區(qū),沿第三方向延伸且位于相應(yīng)的有源區(qū)的一側(cè),且編程控制區(qū)與沿第一方向排列的電連接區(qū)相交。本公開實施例至少有利于縮小反熔絲存儲版圖的布局面積。
本發(fā)明授權(quán)反熔絲存儲版圖及其電路、反熔絲存儲器及其設(shè)計方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種反熔絲存儲版圖,其特征在于,包括:有源區(qū),所述有源區(qū)沿第一方向延伸且沿第二方向分立排布,每一所述有源區(qū)包括沿所述第一方向排布的至少兩個存儲單元區(qū),每一所述存儲單元區(qū)包括沿所述第一方向排布的反熔絲區(qū)以及控制區(qū),在沿所述第一方向上,相鄰所述存儲單元的所述控制區(qū)相鄰接,所述反熔絲區(qū)用于定義反熔絲晶體管,所述控制區(qū)用于定義控制晶體管;字線區(qū),所述字線區(qū)沿第二方向延伸且與所述控制區(qū)相交,所述字線區(qū)用于定義與控制晶體管的柵極電連接的字線;電連接區(qū),所述電連接區(qū)沿所述第二方向延伸且與所述反熔絲區(qū)相交,所述電連接區(qū)用于定義與反熔絲晶體管的柵極電連接的電連接層;編程控制區(qū),所述編程控制區(qū)沿第三方向延伸且位于相應(yīng)的所述有源區(qū)的一側(cè),且所述編程控制區(qū)與沿所述第一方向排列的所述電連接區(qū)相交,所述編程控制區(qū)用于定義編程控制層,所述編程控制層與沿所述第一方向排列的所述電連接層電連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司,其通訊地址為:230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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