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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州聚謙半導(dǎo)體有限公司申請的專利存儲電容器的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114446782B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210103068.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/308；該發(fā)明授權(quán)存儲電容器的制造方法是由黃子倫設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-01-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本存儲電容器的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種存儲電容器的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；形成第一掩膜層；刻蝕第一掩膜層形成第一溝槽；形成位于第一溝槽的底部和側(cè)壁，以及第一掩膜層上方的第二掩膜層，使得形成第二溝槽；去除第一掩膜層上方的第二掩膜層、第一掩膜層、以及位于第二溝槽的底部的第二掩膜層；依次形成第三掩膜層、第四掩膜層和第五掩膜層；對第四掩膜層和第五掩膜層研磨減薄至暴露出第二掩膜層；去除第二掩膜層和第四掩膜層，形成第三溝槽；以第三掩膜層、第四掩膜層、第五掩膜層作為阻擋層，刻蝕半導(dǎo)體襯底，于半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第四溝槽；去除第三掩膜層、第四掩膜層和第五掩膜層；形成介質(zhì)層和導(dǎo)電層，該方法能夠降低工藝復(fù)雜度和生產(chǎn)成本。

本發(fā)明授權(quán)存儲電容器的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲電容器的制造方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底；形成位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一掩膜層；刻蝕所述第一掩膜層，形成第一溝槽；形成位于所述第一溝槽的底部和側(cè)壁，以及所述第一掩膜層上方的第二掩膜層，使得形成第二溝槽，所述第二溝槽的槽寬和槽深均小于所述第一溝槽的槽寬和槽深；去除所述第一掩膜層上方的第二掩膜層、所述第一掩膜層、以及位于所述第二溝槽的底部的第二掩膜層；依次形成位于剩余的第二掩膜層上的第三掩膜層、所述第三掩膜層上的第四掩膜層和所述第四掩膜層上的第五掩膜層；對所述第四掩膜層和第五掩膜層研磨減薄至暴露出所述第二掩膜層；去除所述第二掩膜層和第四掩膜層，形成第三溝槽；以所述第三溝槽周圍的第三掩膜層、所述第四掩膜層、所述第五掩膜層作為阻擋層，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第四溝槽；去除所述第四溝槽上方的作為阻擋層的第三掩膜層、所述第四掩膜層、所述第五掩膜層；形成位于所述第四溝槽上的介質(zhì)層和導(dǎo)電層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州聚謙半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖路328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園21-A401-001單元；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。