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龍圖騰網恭喜北京郵電大學;中國科學院半導體研究所申請的專利一種硅基III-V族半導體材料的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114678264B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210220200.2，技術領域涉及：H01L21/20；該發明授權一種硅基III-V族半導體材料的制備方法是由任曉敏;韋欣;王琦;王俊;劉昊;劉凱;張翼東;李健;江晨;王臻;劉倬良;楊一粟;黃永清;蔡世偉;李川川設計研發完成，并于2022-03-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅基III-V族半導體材料的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種硅基III?V族半導體材料的制備方法，該方法包括在硅襯底上至少兩次重復生長以弱關聯晶化為特征的III?V族半導體基本外延結構單元。每個基本外延結構單元自下而上都包括低溫層、中溫層和高溫層三層，且在高溫層生長過程中須插入熱循環退火。該方法使得低溫層的頂部與底部區域實現彼此弱關聯的晶化，同時使得高溫層連同中溫層的頂部區域與中溫層底部區域實現彼此弱關聯的晶態純化，從而實現高溫層晶體質量的優化。基于類似的機理，該基本外延結構單元的重復生長可進一步提高目標外延層即完整結構頂部外延層的晶體質量。采用本方法可制備穿透位錯密度極低的硅基III?V族半導體材料。

本發明授權一種硅基III-V族半導體材料的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基III-V族半導體材料的制備方法，其特征在于，包括：在硅襯底上至少兩次重復生長III-V族半導體基本外延結構單元，形成重復生長外延結構；在所述重復生長外延結構上繼續外延生長III-V族半導體材料和或III-V族半導體器件結構；其中，所述重復生長外延結構包括兩個或兩個以上的III-V族半導體基本外延結構單元；所述基本外延結構單元的生長過程，包括：（1）在第一溫度條件下生長低溫層；（2）在第二溫度條件下，在所述低溫層上生長中溫層，所述第二溫度條件高于第一溫度條件；（3）在第三溫度條件下，在所述中溫層上外延生長高溫層，所述第三溫度條件高于第二溫度條件；（4）在所述高溫層外延生長過程中暫停高溫層外延生長，進行熱循環退火，隨后繼續高溫層外延生長；所述熱循環退火使得所述III-V族半導體基本外延結構單元的低溫層頂部區域與低溫層底部區域發生弱關聯的晶化，以中斷穿透位錯在低溫層向上傳播的部分途徑；所述熱循環退火同時使得所述III-V族半導體基本外延結構單元的高溫層連同中溫層的頂部區域與中溫層底部區域實現彼此弱關聯的晶態純化，以提升高溫層晶體質量。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京郵電大學;中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100876 北京市海淀區西土城路10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。