買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜京東方華燦光電(浙江)有限公司申請的專利高亮發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114824008B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210313811.1，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權高亮發光二極管芯片及其制備方法是由劉小星;尹靈峰;張威;魏柏林;衛婷;馬國強設計研發完成，并于2022-03-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本高亮發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種高亮發光二極管芯片及其制備方法。該高亮發光二極管芯片包括：襯底、第一半導體層、發光層、第二半導體層、電流阻擋層、透明導電層、第一電極和第二電極；襯底、第一半導體層、發光層、第二半導體層和電流阻擋層依次層疊，透明導電層位于電流阻擋層表面且延伸至第二半導體層表面，第二電極位于透明導電層的表面，第二電極在襯底上的正投影位于電流阻擋層位于襯底上的正投影內，第一電極與第一半導體層相連；第二電極包括焊盤和手指條，手指條的一端與焊盤相連，從焊盤至手指條的方向上，電流阻擋層在垂直于襯底的承載面的方向上的厚度逐漸減小。本公開能改善電極上與外接電路連接的焊盤易損壞的問題，提升芯片的可靠性。

本發明授權高亮發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高亮發光二極管芯片，其特征在于，所述高亮發光二極管芯片包括：襯底（10）、第一半導體層（21）、發光層（22）、第二半導體層（23）、電流阻擋層（30）、透明導電層（40）、第一電極（51）和第二電極（52）；所述襯底（10）、所述第一半導體層（21）、所述發光層（22）、所述第二半導體層（23）和所述電流阻擋層（30）依次層疊，所述透明導電層（40）位于所述電流阻擋層（30）表面且延伸至所述第二半導體層（23）表面，所述第二電極（52）位于所述透明導電層（40）的表面，所述第二電極（52）在所述襯底（10）上的正投影位于所述電流阻擋層（30）位于所述襯底（10）上的正投影內，所述第一電極（51）與所述第一半導體層（21）相連；所述第二電極（52）包括焊盤（521）和手指條（522），所述手指條（522）的一端與所述焊盤（521）相連，從所述焊盤（521）至所述手指條（522）的方向上，所述電流阻擋層（30）在垂直于所述襯底（10）的承載面的方向上的厚度逐漸減小；所述電流阻擋層（30）包括相連的塊狀區（31）和條狀區（32），所述第二電極（52）的焊盤（521）在所述襯底（10）上的正投影位于所述塊狀區（31）在所述襯底（10）上的正投影內，所述第二電極（52）的手指條（522）在所述襯底（10）上的正投影位于所述條狀區（32）在所述襯底（10）上的正投影內；所述電流阻擋層（30）遠離所述襯底（10）的表面為平面，且所述電流阻擋層（30）遠離所述襯底（10）的表面傾斜于所述電流阻擋層（30）的側壁，從所述塊狀區（31）至所述條狀區（32）的方向上，所述電流阻擋層（30）在垂直于所述襯底（10）方向上的厚度線性減小；以所述塊狀區（31）的遠離所述條狀區（32）的端點O為原點，以所述條狀區（32）的延伸方向為X軸，以所述電流阻擋層（30）的厚度方向為Y軸的直角坐標系中，所述電流阻擋層（30）在X軸上任意點的厚度采用以下公式確定：h=（L-d）×HL（1）式（1）中，h為所述電流阻擋層（30）在X軸上任意點的厚度，單位μm；L為所述電流阻擋層（30）在X軸方向上的最大長度，單位為μm；d為所述電流阻擋層（30）在X軸上任意點距離O點的間距，單位為μm；H為所述電流阻擋層（30）在Y軸方向上的最大長度，單位為μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人京東方華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。