買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜深圳天狼芯半導體有限公司申請的專利改善反向恢復特性的MOSFET及其制備方法、芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119584607B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510136484.0，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權改善反向恢復特性的MOSFET及其制備方法、芯片是由李金耀設計研發完成，并于2025-02-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本改善反向恢復特性的MOSFET及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于功率器件技術領域，提供了一種改善反向恢復特性的MOSFET及其制備方法、芯片，通過在源極層與所述控制柵多晶硅層之間設置第一二極管，在柵極層與所述控制柵多晶硅層之間設置位于第一二極管兩側的第二二極管，使得在器件反向導通的過程中，由源極提供高電位，與源極連接的二極管正常導通，連帶器件的溝道打開，此時與柵極連接的二極管反偏，防止產生漏電流。并且，由于溝道處的壓降更小，大部分電流從溝道處流過，而從P型基區與N型漂移區處的PN結經過的電流減小，使得PN結的少子存儲變少，進而使得反向恢復電荷減少，從而實現了器件反向恢復特性的優化，降低器件在狀態切換過程中的損耗。

本發明授權改善反向恢復特性的MOSFET及其制備方法、芯片在權利要求書中公布了：1.一種改善反向恢復特性的MOSFET，其特征在于，包括：N型襯底；N型漂移區，所述N型漂移區內設有凹槽；第一介電材料層、屏蔽柵多晶硅層，所述第一介電材料層設置于所述N型漂移區的凹槽內壁，所述第一介電材料層用于包裹所述屏蔽柵多晶硅層；控制柵介電材料層、控制柵多晶硅層，形成于所述N型漂移區的凹槽內，所述控制柵介電材料層包裹所述控制柵多晶硅層；第一P型基區、第二P型基區，所述第一P型基區和所述第二P型基區呈L形結構，分別設置于所述N型漂移區的兩側部；第一N型摻雜區、第二N型摻雜區，所述第一N型摻雜區位于L形結構的所述第一P型基區的水平部上，且與所述控制柵介電材料層接觸，所述第二N型摻雜區位于L形結構的所述第二P型基區的水平部上，且與所述控制柵介電材料層接觸；漏極層，所述漏極層設置于所述N型襯底的背面；源極層，與所述第一N型摻雜區、所述第二N型摻雜區、所述第一P型基區、所述第二P型基區接觸，并且，所述源極層與所述控制柵多晶硅層之間還設置有第一二極管；柵極層，經所述控制柵介電材料層上的第一柵極通孔和第二柵極通孔與所述控制柵多晶硅層接觸；所述柵極層與所述控制柵多晶硅層之間還設置有第二二極管；所述源極層與所述控制柵多晶硅層之間設置有第一肖特基金屬層，所述第一肖特基金屬層與所述控制柵多晶硅層之間形成肖特基接觸，以形成所述第一二極管；所述柵極層與所述控制柵多晶硅層之間設置有第二肖特基金屬層，所述第二肖特基金屬層與所述控制柵多晶硅層之間形成肖特基接觸，以形成所述第二二極管；所述屏蔽柵多晶硅層為階梯形結構，所述屏蔽柵多晶硅層的寬度由所述漏極層向所述源極層逐漸增加。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳天狼芯半導體有限公司，其通訊地址為：518063 廣東省深圳市南山區粵海街道高新區社區科技南路18號深圳灣科技生態園12棟裙樓904-905；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。